三星明年将量产次世代NAND Flash

三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NANDFlash)速度快10倍的次世代NANDFlash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。

　　三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NANDFlash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将全部采用Toggle DDR2.0技术。

　　Toggle DDR2.0 NAND Flash较既有的SDR NAND Flash信息处理速度40Mbps快10倍，达400Mbps，也较处理速度133Mbps的Toggle DDR1.0高速NAND Flash快3倍。

　　三星在量产的同时，为使此规格能成为市场标准，也向JEDEC申请标准登记，2011年初可完成登记作业。此外日本东芝(Toshiba)也决定将参与Toggle DDR2.0的标准化作业。

　　半导体事业部存储器策略营销副社长全东守表示，三星2009年11月初量产30奈米制程高速NAND Flash等持续主导高效能NAND Flash市场成长。未来搭载高速NAND Flash的4代智能型手机、平板计算机、固态硬碟(SSD)等各种产品的需求将会大幅增加，并带动NAND Flash市场成长。