下一代低VCEsat双极晶体管

　　通过选择不同的低电阻衬底，例如图1所示的掺磷或掺砷衬底，可以大幅降低压降中半导体部分引起的压降所占的比例。另一个重要的影响因素是电流分布，它应在整个芯片范围内尽可能保持均衡，并且将芯片前端金属化的扩展电阻降至最低。对于BISS晶体管，芯片中的电流均衡分布通过一种称为网格设计(将晶体管分成不同的栅格结构)的方法来实现。BISS 4晶体管采用受专利保护的双层金属化布局，能够尽量提升发射极线路金属厚度，从而将饱和电阻降至最低(参见图2)。

　　缩短开关时间：集成钳位元件，降低扩散电容

　　要在降低饱和电压的基础上缩短开关时间，关键是尽量降低开关操作中的晶体管扩散电容。这主要通过集成的寄生钳位结构(图3)来实现，该设计可以避免过度驱动饱和状态下的晶体管并有效降低晶体管的存储时间ts。

　　典型应用

　　低VCEsat晶体管兼具双极晶体管的优势和低RCEsat值(可与典型MOSFET的RDSon媲美)，主要满足常规开关应用。这些应用包括驱动电压较小的电池供电设备中的负载开关(图4)。由于实际应用中反向电流阻断和高能效具有决定性意义，因此双极晶体管比MOSFET更有优势。例如低VCEsat晶体管通常作为手机等产品的电源管理单元(PMU)中的电荷存储晶体管使用。

　　另外，笔记本电脑中使用低VCEsat晶体管，可以降低风扇或接口电源负载开关的损耗，延长电池使用时间。

　　降低饱和电压：低电阻半导体衬底、芯片金属化结构和芯片设计