英飞凌推出业界首款无铅封装的汽车电源MOSFET

英飞凌宣布推出采用TO无铅封装的汽车电源的MOSFET的系列产品新型40V的OptiMOS T2的MOSFET TO - 262以及T2系列产品的量产已准备就绪。

英飞凌的MOSFET的新系列产品超越了现行欧盟RoHS指令对于含铅焊锡封装的规范，更严格的ELV符合RoHS标准可能将于2014年施行，届时将要求采用完全无铅的封装方式。作为业界首款无铅封装MOSFET的，英飞凌的新产品让客户满足更严格的要求。

　　英飞凌推出至无铅封装的汽车电源的MOSFET的新型40V的OptiMOS T2的MOSFET

　　英飞凌汽车电子事业处标准电源产品副总裁暨总经理弗兰克Schwertlein且符合RoHS环保之MOSFET，协助客户开发节能的“绿色”产品。“

　　英飞凌专利的无铅黏晶(芯片粘接) 175μm)，为功率半导体提供多项改良：

　　环保的技术：不使用线索及其他有毒物质。

　　扩散焊接黏晶技术结合薄晶圆制程：大幅降低封装的导通电阻值的RDS(on)。

　　热阻(RthJC)改善率高达40 - 50%：传统的软线索焊料的热传导能力不佳，阻碍了MOSFET的接面之散热。

　　其他优点还包括：由于没有焊锡流量迹(出血)及晶片倾斜(芯片tiltness)的问题，以及更收敛的RDS(ON)与RthJC

　　从新款的OptiMOS T2 40V(如：IPB160N04S4 - 02D，160A)的规格产品得知，其RDS(ON)仅2.0mΩ且RthJC仅0.9K / W相较于使用标准线索焊接的同类产品，其导通电阻降低了约20%的OptiMOS T2的产品拥有同级产品中最佳效能。