安森美半导体AC-DC非隔离高功率因数LED驱动方案

图1：降压及降压-升压配置比较

　　相比较而言，降压-升压拓扑结构的输入电流波形跟负载无关，具有高功率因数、良好的总谐波失真性能。降压-升压配置下，电感与LED串并未串联，输入电流波形或失真与输出压降(VF)无关;固有的LED故障保护功能可在MOSFET短路时提供保护;LED正向压降可以高于或低于输入电压;MOSFET开关电压应力为输入电压与输出压降之和(Vin+Vout)。

2) 基于NCL30000的非隔离降压-升压LED驱动器方案

　　本文将重点探讨降压-升压拓扑结构的NCL30000非隔离型LED驱动器方案。　　

图2： NCL30000非隔离降压-升压拓扑结构电路图

　　如图2所示，在NCL30000非隔离降压-升压拓扑结构应用中，LED平均电流被稳流，可稳定线路电压变化和负载变化;可实现LED开路及短路保护;如果FET短路，LED仍然安全。

　　NCL30000降压-升压拓扑结构的工作原理包括：

• 直接感测LED电流，提供真正的平均模式反馈。可以在宽LED电压范围内维持紧密的稳流;感测电阻(R9)的阻值很小，可提升能效至最高;匹配的晶体管对(Q1)产生与LED电流成正比的电流。
• 分级电平转换晶体管(Q2)将正比例电流耦合至低边控制器;省去了光耦;第二个分级晶体管(Q5)用于“高输入+输出”电压的方案。
• 端接电阻(R14)将正比例电流转换为电压;将电压用作提供给控制器的反馈信号;在LED平均电流处关闭反馈环路。
• 低环路带宽提供高功率因数。