瑞萨第七代650V和1250V IGBT建立新技术标准
(3) 快速开关
本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/135024.htm通过优化器件的表面结构,与早期的瑞萨产品相比,反向传输电容(Cres)(注3)降低了大约10%。这就有助于实现更快的开关,并使设计更高效的电源转换器电路成为可能。
对于像太阳能逆变器中使用的大电流逆变模块,或者工业用逆变控制电机这类广泛使用三相逆变电路的应用,这些改进有助于实现更低的功耗和更稳定的操作。
瑞萨通过提供将微控制器(MCU)与模拟和功率器件相结合的总体解决方案来使客户受益。新款高性能第七代IGBT产品在业界最佳功率器件类别中占有一席之地。他们形成了瑞萨功率器件阵列的核心,而且公司计划在这一系列中发布新的产品来不断的向前发展。
瑞萨还计划发布一款增强型配套解决方案,包括新的IGBT产品,瑞萨RL78和RX系列用于逆变控制的MCU,以及用于功率器件驱动的光耦合器。瑞萨还计划准备装有新款IGBT产品的参考开发板,以支持客户的配套评价和系统设计。
新款IGBT产品的包装形式是晶圆/芯片,RJH65S系列采用TO-247封装。
(注 1) 饱和电压 (VCE(sat)):
这是IGBT最重要的性能指标,指的是当器件导通时集电极-发射极的压降。其数值越低,传导损耗越小。
(注2) 短路耐受力 (tsc):
这是IGBT抗破坏能力的一个指标。它是指在短路产生的无限电流对IGBT导致破坏之前的总时间。一般说来,对于要求大电流和高稳定性的应用,如电机驱动而言,这个值越高越好。
(注3) 反向传输电容 (Cres):
这个参数是指IGBT的栅极和集电器之间的内在电容。一般来说,电容值越小就表示器件可以实现越快速的开关,从而可以降低开关损耗。
参考图
三种应用中IGBT效率的比较
![](http://m.amcfsurvey.com/editerupload/201207/810e8b7e2dadbdd40768989ad0b4be47.jpg)
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