瑞萨第七代650V和1250V IGBT建立新技术标准

　　(3) 快速开关

　　通过优化器件的表面结构，与早期的瑞萨产品相比，反向传输电容(Cres)(注3)降低了大约10%。这就有助于实现更快的开关，并使设计更高效的电源转换器电路成为可能。

　　对于像太阳能逆变器中使用的大电流逆变模块，或者工业用逆变控制电机这类广泛使用三相逆变电路的应用，这些改进有助于实现更低的功耗和更稳定的操作。

瑞萨通过提供将微控制器(MCU)与模拟和功率器件相结合的总体解决方案来使客户受益。新款高性能第七代IGBT产品在业界最佳功率器件类别中占有一席之地。他们形成了瑞萨功率器件阵列的核心，而且公司计划在这一系列中发布新的产品来不断的向前发展。

　　瑞萨还计划发布一款增强型配套解决方案，包括新的IGBT产品，瑞萨RL78和RX系列用于逆变控制的MCU，以及用于功率器件驱动的光耦合器。瑞萨还计划准备装有新款IGBT产品的参考开发板，以支持客户的配套评价和系统设计。

　　新款IGBT产品的包装形式是晶圆/芯片，RJH65S系列采用TO-247封装。

　　(注 1) 饱和电压 (VCE(sat)):
　　这是IGBT最重要的性能指标，指的是当器件导通时集电极-发射极的压降。其数值越低，传导损耗越小。

　　(注2) 短路耐受力 (tsc):
　　这是IGBT抗破坏能力的一个指标。它是指在短路产生的无限电流对IGBT导致破坏之前的总时间。一般说来，对于要求大电流和高稳定性的应用，如电机驱动而言，这个值越高越好。

　　(注3) 反向传输电容 (Cres):
　　这个参数是指IGBT的栅极和集电器之间的内在电容。一般来说，电容值越小就表示器件可以实现越快速的开关，从而可以降低开关损耗。

参考图
　　三种应用中IGBT效率的比较