安森美针对充电电池的低成本CCR充电解决方案

充电电流、功耗及电池电压

1) 随时间变化的充电电流

　　使用恒流稳流器充电电流可保持不变，直到充电终止，如图5所示。　　

2) BJT和二极管的功耗

　　如今，人们都非常关心电路的功耗。降低输入电压是一种方式，为的是提高电路性能。这是使用低VCE(sat)晶体管的原因之一。如表1所示，晶体管的VCE非常低。图6也描述了随着时间推移PNP晶体管所消耗的功率。正如人们所期望的，在充电电流增加时耗散功率(PD)也增加了。然而，在约300 mA的充电电流下，晶体管消耗的功率小于15 mW。

　　除了使用低VCE(sat) 的BJT，还可使用一个DSN2封装的低正向压降(VF)肖特基二极管来降低功耗。该二极管用于反向电流保护。选择安森美半导体的NSR10F40NXT5G的原因是它有市场上最低的VF。在最高充电电流下测得的二极管消耗功率大约为95 mW。图7显示了电池正在充电时DSN2低VF肖特基势垒二极管的功耗。

　　使用低VCE(sat) BJT和低VF肖特基二极管输入电压可降至尽可能最低。