产业大腕云集深圳，共话闪存与移动技术的世纪交锋

　　二、 Nand Flash与DRAM技术未来将如何发展?　　

　　如今半导体技术飞速发展，作为存储中坚的NANDFlash和DRAM技术未来将如何发展?NANDFlash发明者东芝半导体技术统括部存储应用技术经理康敏宣独家披露了未来发展战略。

　　首先他认为NANDFlash未来的应用领域将更加拓广，“估计今年的NANDFlash总需求量会达到600亿GB。”他指出，“除了在手机平板超极本领域应用外，汽车电子、服务器的应用也很大。”

　　他表示东芝的策略是不断开发先进的工艺技术来提升产能，缓解供应压力。如东芝是第一家推出19nm产品的公司，“未来，随着工艺技术发展，东芝的发展方向是两个，一个是大容量存储，如19nm工艺产品，不过这个往下发展难度很大，所以，东芝会在明后年推出POST-NAND的产品，也就是3D NAND产品，接下来是POST-POST NAND。另个方向是东芝会投资发展磁阻内存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技术， 它将替代现在的DRAM，磁阻内存和DRAM内存采用了完全不同的原理。DRAM内存用以表示"0"和"1"的方式是判断电容器中的电量多少来进行的，它不仅需要保持通电，还需要周期性地给电容充电才能保证内容不丢。而磁阻内存的存储原理则完全不使用电容，它采用两块纳米级铁磁体，在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构。通过改变两块铁磁体的方向，下面的导体的磁致电阻就会发生变化。电阻一旦变大，通过它的电流就会变小，反之亦然。

　　他最看好的明星产品是自旋扭矩转换(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“现在手机中的DRAM，断电后不能保存资料，而且功耗很高，但MRAM没有这个问题，而且它的读写速度非常快，而且理论上它的读写刷新是无限的，所以我们非常看好这款产品，我们希望用MRAM代替现在的DRAM。”他指出。

　　另外他特别强调东芝的所有NAND Flash产品都在日本岩手县有的第五座NAND型闪存(Flash)工厂生产，以确保向市场提供可靠稳定的产品。

　　三、 智能手机如何差异创新?　　

　　目前，智能手机市场火爆但智能机同质化日益严重，如何差异化创新?博通公司销售总监罗旭杰认为，创新就是要给用户更好的用户体验，博通公司认为用户体验来自几个方面，一是在WIFI方面如何更快更可靠更稳定，二是如何共享流媒体，三是给用户更快的手机上网体验。“从2012到2017年，数据增长非常快，有13倍之多，其中多数是视频增长，未来在视频方面大家会分享的更多，因此，5G WiFi技术会非常热门。”他指出“5G频段可以提供更高的性能，也可以连接更多的设备，覆盖范围也会增大。”，

　　另外他认为NFC技术也会激发更多创新应用，例如一些轻触即用(Tap play)的技术，可以方便地把智能设备连接起来。　　

　　他认为4G LTE技术会很快应用，因此，博通利用高集成的优势推出针对4G的方案，例如BCM21982，它支持五模20个频带，不但集成了WIFI蓝牙还集成了电源管理和射频电路，此外体积还缩小了30%!