相变化内存原理分析及设计使用技巧介绍
_NOR和SRAM 本文引用地址: //m.amcfsurvey.com/article/148428.htm
_NOR+NAND和SRAM或PSRAM
_NOR或NAND+DRAM或移动SDRAM
这些系统很少用非挥发性内存保存临时数据,也从来不用RAM保存编码,因为在如果没电RAM就会失去全部内容。相变化内存有助于简化这些配置,保存数据和编码可以只用单一相变化内存芯片或一个PCM数组,在一般情况下就不再需要将非挥发性内存芯片搭配RAM芯片使用。
相变化内存还有一个好处,程序员现在只需考虑编码量和数据量,而不必担心编码和数据的储存空间是两个分开的储存区。如果数据储存空间增加几个字节,还可以从编码储存空间“借用”储存空间,这在除相变化内存以外的其它任何拓扑中都是不可能的。
相变化内存的工作原理
相变化内存有晶体和非晶体两种状态,正是利用这种特殊材料的变化状态决定数据位是1还是0。和利用液晶的方向阻挡光线或传递光线的液晶显示器同样原理,在相变化内存内,储存数据位的硫系玻璃可以允许电流通过(晶态),或是阻止电流通过(非晶态)。
在相变化内存的每个位的位置都有一个微型加热器,通过熔化然后再冷却硫系玻璃,来促进晶体成长或禁止晶体成长,每个位就会在晶态与非晶态之间转换。设定的脉冲信号将温度升高到玻璃熔化的温度,并维持在这个温度一段时间;一旦晶体开始生长,就立即降低温度。一个复位脉冲将温度升高,然后在熔化材料形成晶体前快速降低温度,这个过程在该位位置上产生一个非晶或不导电的材料结构(图2)。
![](http://m.amcfsurvey.com/uphotos/fetch/20130729/148428_2_0.jpg)
加热器的尺寸非常小,能够快速加热微小的硫系材料的位置,加热时间在纳秒量级内,这个特性准许进行快速写入操作、防止读取操作干扰相邻的数据位。此外,加热器的尺寸随着工艺技术节点缩小而变小,因此与采用大技术节点的上一代相变化内存相比,采用小技术节点相变化内存更容易进行写入操作。相变化内存技术的技术节点极限远远小于NAND和NOR闪存(图3)。
![](http://m.amcfsurvey.com/uphotos/fetch/20130729/148428_2_1.jpg)
相变化内存的读写速度可媲美闪存,将来会接近DRAM的速度。从系统架构角度看,相变化内存的优点是没有擦除过程,每个位都可以随时单独置位或复位,不会影响其它的数据位,这一点突破了NAND和NOR闪存的区块擦除限制。
内存芯片价格取决于制造成本,Objective Analysis估计。相变化内存制造商将会把制造成本逐步降至竞争技术的水平。相变化内存的每gigabyte价格是DRAM的大约25倍,但相变化内存的储存单元比最先进的DARM的储存单元更小,所以一旦工艺和芯片达到DRAM的水平时,相变化内存的制造成本将能够降到DRAM成本之下。
随着工艺技术节点和晶圆直径达到DRAM的水平,芯片产量足以影响规模经济效益,预计到2015至2016年,相变化内存的每GB(gigabyte)价格将低于DRAM的平均价格。虽然相变化内存向多层单元(multi-level cells)进化,该技术制造成本将会降至DRAM价格的二分之一以下,从而成为继NAND之后第二个成本最低的技术。再早关注相变化内存技术也不算早。我们知道闪存正在接近其不可避免的技术升级的极限,相变化内存等技术必将取而代之。相变化内存厂商透露,在2015年左右,这项技术的价格将会与DRAM的价格持平,届时相变化内存将开启一个全新的内存系统设计思维方式。
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