嵌入式技术在电流传感器蓄电池中的应用
说明：
a 由于AT91SAM9261采用Dataflash的启动的方式只能工作在温度高于0℃低于70℃的范围，一旦温度低于0℃将无法启动。为了解决这个问题，只能使ARM采用外部启动即NOR FLASH启动的方式，因此需要选择启动模式为外部启动（BMS=0），以达到工业现场的温度要求。
b Norflash存储器芯片选择AMD公司的AM29LV160DB，其容量为4M*16bit，用于存储BOOT程序，小型操作系统及小型应用程序。设计时采用字对齐方式，即芯片的A0地址线对应ARM芯片的A1地址线。另外由于ATMEL官方提供的SAM-BA烧写程序仅支持Dataflash和Nandflash，因此有必要修改SAM-BA的脚本文件以实现对Norflash的烧写
c Nandflash存储器芯片选择三星公司的K9F1208U0B，其存储容量为存储容量：64M*16bit， 采用wince或者linux的操作系统时使用该芯片中存储操作系统和应用程序；如使用ucos之类的小型操作系统时，则该芯片可以省略不焊接，系统与BOOT程序存储在Norflash即可。
d Sdram芯片采用MT48LC16M16A2TG-75IT:D，每片容量为16M*16bit，本系统中采用两片SDRAM构成32数据总线。由于Sdram芯片为整个嵌入式平台的内存，需要频繁地与CPU进行数据交互，为了实现较好的信号完整性，在靠近ARM的地址和控制总线上串联22欧姆平衡电阻吸收信号反射。当采用小型操作系统时候，操作系统可在ARM内部的SRAM中运行，Sdram可以省略不焊接。
e 扩展接口将ARM芯片的所有可用接口皆扩展出来，用于和扩展板连接。
f 由于信号密集，同时需要将接口全部引出并保证良好的电磁兼容性效果，PCB采用六层板PCB设计方式，采用信号层——地层——信号层——电源层——地层——信号层的方式。
为了保证高频工作的效果，设计时考虑将两片SDRAM的各总线设计为等长，同时采用两面布局和蛇形走线等技术手段。
3.2 扩展板部分设计
扩展板的设计框图如下：
说明：
a SPI flash芯片用于存储蓄电池传感器采得的数据。此处将芯片的写保护脚使用ARM的一个I/O口管理起来，以防上电或者掉电时修改片内的数据。
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