基于DSP TMS 3 2 0F2 8 1 2的智能接口板设计
双端口RAM芯片有两套完全独立的数据线、地址线和读写控制线，因而可使两个处理器分时独立访问其内部RAM资源。由于两个CPU同时访问时的仲裁逻辑电路全部集成在双端口RAM内部，因而需要实际设计的电路比较简单。双端口RAM内一般都有一个总线抢占优先级比较器，只要双CPU不同时访问同一存储单元，那么较先送出地址的CPU将拥有该单元的本次访问优先权，而另一个CPU的地址与读写信号将被屏蔽掉，同时通过busy引脚告知该CPU以使之根据需要对该单元重新访问或撤销访问。
共享存储器选用双口内存IDT7027，存储容量为32k×16bit。共享存储器具有两组独立的地址、控制、I／O引脚，允许从任一组引脚发出的信号对内存中的任何位置进行读或写的异步访问。双口内存IDT7027具有防止双口竞争的功能，该功能可以免去为避免双口竞争增加的硬件逻辑，通过使用芯片上的信号量可以获得芯片的控制权，只有获权的一组引脚上的信号才能访问内存，另外通过信号量的使用还可以将双口内存划分为大小不同的区。
在此模块设计中，双口存储器一边由DSP处理器控制，另一边由PCI总线进行控制，而芯片本身自带的BUSY通过逻辑设计接READY来实现双口存储器产生竞争时的应答。
·双口存储器读操作访问
双口存储器的读操作时序如图3所示，／CE为读写数据操作的片选信号，低电平有效；／OE为输出控制信号，由系统读信号控制，低电平有效；／UB、／LB是高／低字节有效控制信号，低电平有效，设计中将这两信号下拉；R／*W信号在读操作中保持高电平。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/150897.htm
·双口存储器写操作访问
双口存储器的写操作时序如图4所示，／CE为写数据操作的片选信号，低电平有效；／UB、／LB是高／低字节有效控制信号，低电平有效，设计中将这两信号下拉；R／*W为输入控制信号，由系统写信号控制，低电平有效。
·双口存储器BUSY,信号使用及时序
A／B通道对双口存储器的某一个单元同时进行访问时会出现竞争风险，要避免这种情况的出现必须对访问信号判断优先级，IDT7025双口存储器通过自身硬件的BUSY信号引脚告知该CPU以使之根据需要对该单元重新访问或撤消访问，其操作时序如图5所示，BUSY信号低电平有效，R／W为读写信号。
1．2 时钟和复位电路
1．2．1 时钟电路
F2812处理器上有基于PLL的时钟模块，为器件及各种外设提供时钟信号。锁相环有4位倍频设置位，可以为处理器提供各种频率的时钟。时钟模块提供两种操作模式，如图6所示。
内部振荡器：如果使用内部振荡器，则必须在x1／XCLKIN和X2引脚之间连接一个石英晶体；
外部时钟：如果使用外部时钟，可以把时钟信号直接接到X1／XCLKIN引脚上，X2悬空。
外部XPLLDIS引脚用来选择系统时钟源。当XPLLDIS为低电平时，系统直接采用外部时钟作为系统时钟；当XPLLDIS为高电平时，外部时钟经过PLL倍频后，为系统提供时钟。系统通过锁相环控制寄存器来选择锁相环的工作模式和倍频系数，如表2所示。
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