NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发
2．3NorFLASH的接口设计
系统用的NorFLASH芯片是Atmel公司开发的AT49BV1614A，存储空间为16 MB，在系统中常用于存放代码，系统上电或复位后获得指令开始执行，因此，应将其配置到Bank0，将AT49BV1614A的片选端nCE接至 S3C2410的nGCS0；AT49BVl614A的输出使能端nOE接S3C2410的nOE；写使能端nWE接S3C2410的nWBE0；将模式选择nBYTE上拉，使AT49BV1614A工作在 16 位数据模式。AT49BV1614A地址总线A[19～0]和S3C2410的地址总线ADDR[20 ～1相连，16位数据总线DQ[15～0]和S3C2410的低16位数据总线DATA[15~0]相连。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/152373.htm
2. 4NorFLASH在系统中的具体操作
以AT49BV1614A芯片时序图为例，具体说明NorFLASH的写操作，如图2所示。
CLE信号有效时系统通过I／O口向命令寄存器发送命令00H，此时WE为低电平，写操作有效，NandFLASH处于写状态。发送命令后，接着发送要读的地址，该操作将占用WE的1，2，3，4四个周期，发送地址信息时，CLE为低电平，ALE为高电平。地址信息发送完毕后，不能立刻读取数据，因为此时芯片正处于BUSY(忙)状态，需要等待2～20 ms，之后，才能开始数据读取。此时WE为高电平，处于无效状态，CE片选信号也始终为低以表明选中该芯片。
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