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解密16Gb MLC NAND闪存表象下的技术细节

作者: 时间:2012-05-28 来源:网络 收藏

图2:it的多晶硅电容结构,图中显示了低位板接头。IMFT的4G、it

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图3:IMFT的it的金属层2和层3采用铜双镶嵌工艺,金属层1采用钨双镶嵌工艺


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