MOCVD技术在光电薄膜中的应用

5、多种衬底上异质材料的生长同时并进开发，GaAs技术目前最为成熟，充分发挥InP衬底的优异性能，挖掘lnP衬底的潜力的研究正在广泛进行;

6、宽带隙的材料研究受到高度重视，特别是以CaN为代表的第三代半导体材料的研究，已成为各国业内科学家研发的热点;SiC材料已研制成功许多性能优异的器件，如MOSFET、MESFET、JFET等。

MOCVD技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，MOCVD仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD技术的进一步发展将会给微电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。