C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法

2Flash存储器的锁定与解锁
在Flash操作之前，必须按顺序向Flash锁定和关键码寄存器(FLKEY)写入正确的关键码，该关键码禁止对知识产权信息(以程序或常数形式存储在Flash中)进行未经授权访问或防止用户无意修改程序代码以及因系统条件异常导致代码改变。写关键码时必须按顺序写，否则Flash写入或擦除操作被禁止，直到下一次系统复位。存储在Flash用户空间的最后一个字节的安全锁定字节保护Flash存储器，使其不被非保护代码或通过硬件接口读写或擦除。使用安全锁定字节时有以下关键点：1)将Flash安全字节中的位设置为0，保护Flash存储器不通过JTAG接口被访问；2)采用软件设置一个软件读访问限制，保护存储器不被读取；3)已被软件访问保护的Flash存储器也应用Flash安全字节进行保护。使其不通过JTAG接口访问；4)在保护Flash时，包含Flash安全字节的Flash页也应保护；5)如果最终用户无需访问Flash，可通过简单锁定整个Flash存储器保护其不通过JTAG访问。

3 Flash数据擦除
采用软件MOVX指令对Flash存储器编程，在使用MOVX指令前，先允许Flash写操作，其过程为：1)将程序存储写允许位PSWE(PSCTL.0)设置为逻辑“1”，这将使MOVX操作指向目标Flash存储器；2)按顺序向Flash锁定寄存器(FLKEY)写入Flash关键码，PSWE位将保持置位状态，直到被软件清除。
在采用软件修改Flash内容前，PSWE必须置为逻辑“l”；而在软件擦除Flash存储器前，PSWE位和PSEE位都必须置为逻辑“1”。写入Flash存储器操作可清除数据位，但不能使数据位置“1”，只有擦除操作能将Flash中的数据位置为“l”。所以在写入新值前，必须先擦除待编程地址。Flash存储器是以512字节的扇区为单位构成的，一次擦除操作将擦除整个扇区(将扇区内的所有字节置为OXFF)。
擦除一个扇区的步骤如下：1)禁止中断；2)置“l”程序存储器擦除允许位(PSCTL中的PSEE)，以允许Flash扇区移除：3)置“1”程序存储器写允许位(PSCTL中的PSWE)，允许Flash写入；4)向FLKEY写第1个关键码：0XA5；5)向FLKEY写第2个关键码：0XFl；6)用MOVx指令向待擦除页内的任何一个地址写入1个数据字节；7)清除PSWE和PSEE位；8)重新允许中断。

4 Flash数据写入
Flash存储器可一次写1个字节，也可一次写1组字节，寄存器PFEOCN中的FLBWE位为一次Flash写操作可写入1个或2个字节。当FLBWE清零时，每次Flash写操作写入1个字节；当FLBWE位置为“1”时，每次Flash写操作写入2个字节(块写)。块写时间与单字节写的时间相同，在向Flash存储器写入大量数据时可节省时间。在单字节写Flash时，分别写入字节数据，每个MOVX写指令执行一次Flash写操作。C805lF35X的Flash存储器写入程序代码如下：

5 Flash数据读取
由于Flash读操作采用MOVC指令实现，因此用于读操作的Flash指针必须是CODE类型。由于Flash写操作是用MOVX指令实现的，所以写入或擦除操作的Flash指针必须是XDATA类型。对于C8051F35X的Flash存储器读取数据程序代码如下：