一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）

因此通过晶体管Q3的基射级电压和R2电压叠加即可得到输出电压值：

调整电阻比值，使VT 系数

值为17.2,即可得到温度系数为零的带隙基准电压。

1.2 LDO频率分析

精简结构LDO中包含三个低频极点，分别处在增益级的输出，缓冲级的输出和LDO的输出节点，分别如下：

式中：ro1 和C1 分别是增益级输出电阻和负载电容;ro2是缓冲级输出电阻;Cpar 是功率管寄身电容;rop 是LDO输出级的等效电阻;CL 为输出负载补偿电容。为了保证LDO有个良好的输出暂态特性，CL 取值一般很大，因此极点p3 为LDO环路的主极点。晶体管Q3集电极电流偏置为PTAT电流，因此增益级的输出阻抗随输出负载电流和输入电压变化不大，同时增益级的负载电容主要由缓冲级输入电容决定，所以极点p1 位置相对稳定，故可以采用一个左半平面的零点补偿。类似如传统LDO,本文采用一个电阻resr 与输出补偿电容串联方式，获得一个左半平面零点：

基于上述分析，精简结构LDO的开环传输函数为：

式中

.其中：gmQ2 ,gmQ3 和gmp 分别代表晶体管Q2,Q3和功率管的跨导;Rπ 3 是晶体管Q3的输入电阻。当p1 和z1 匹配比较精确，LDO环路只有两个低频极点p2 和p3 .因此，为了获得60°的相位裕度，必须：