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双开关T型并联谐振逆变器拓扑结构研究

作者: 时间:2013-02-16 来源:网络 收藏

工作模式2:在t=t2时刻,uo谐振到零,VS1闭合,VS2断开,实现ZVS;iL降到最小值,VS1闭合后uL=Ud,其极性为左正右负。通过VS1的电流即为iL此电流按线性规律上升,从最小值增大到t4时刻的最大值,Ud在电感中储存能量。当t在t2~t4内,Lo,Co处于谐振状态,形成uo的负半周。
在t=t4时刻VS1断开,VS2闭合,开始下一个周期。至此,电路完成了一个完整周期的工作,而Co上得到一个完整的正弦波输出uo。uo和io的波形如图2所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/175887.htm

b.jpg


2.3 电路中电流、电压关系
2.3.1 L和开关元件电流的关系
在工作模式2下,VS1导通,若VS1无压降,则有:Ud=LdiL/dt,得:iL=Udt/L。
故在VS1导通的半个周期内,iL和VS1的电流iVS1按线性规律上升。
在工作模式1下,在此稳态过程中,若VS2无压降,则A,C两端电压为uo,由iL与uL实际方向可知电路中的电压关系为:
Ud+Ld(-iL)/dt=Umsin(ωt) (1)
初始条件:t=0时刻,IL(0)=ILmax;由式(1)解得在0~t2稳态时段内,iL的瞬态表达式为:
iL(t)=ILmax+Udt/L+Um[cos(ωt)-1]/(ωL) (2)
即在工作模式1过程中,iL=iVS2,且按余弦规律减小变化。由图2可知,iL平均值等于直流电源的电流Id。
2.3.2 逆变交流电压与直流电源电压的关系
为避免开关元件承受过高反压,假设工作在小容性准谐振状态,即开关时刻略超前于uo一个小角度φ,在忽略触发脉冲的重叠区宽度后,也就是iVS2超前uo一个小角度φ,则φ为的功率因数角,如图3所示。

c.jpg


在工作模式1下,假设VS2无压降,图中A,C问电压为uo的正半周,其电压平均值等于2Ud,则:
d.jpg
在小容性状态时cosφ≈1,则Uo≈2.22Ud。

3 实际电路构成原理与设计
图4示出应用于的T型电路。图中ED虚线左边为三相全控整流桥电路,通过改变触发脉冲的移相角度对Ud的大小
进行调节,从而实现对逆变器输出功率进行调节的目的。C3为高频滤波电容,抑制高频电流在L上引起的高频电压波动。

a.jpg


图4中ED虚线右边为T型逆变主电路部分。L1为升压电感;其中VS1,VS2为电路完全相同的基本单元结构,MOSFET通态电阻Rds(on)具有正温度系数,它为提高整机的电流容量创造了有利条件。由VS1,VS2相同的基本单元结构再进行并联构成功率开关模块,以满足对电流容量的要求。功率开关模块控制信号由逆变控制电路产生,并经驱动电路在栅、源极之间加入。
Co1,Co2串联后与Lo构成回路,Co2为升压电容。因为Uo=2.22Ud,Co1,Co2容量相等,因此uLo=4.44Ud。确定Co1,Co2和Lo的值使其满足工作频率和输出功率的要求。

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