LinkZero-Ax零待机功耗集成离线式转换开关
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2. 3 掉电(PD)模式
当跳过160个开关周期时，器件内部振荡器将进入到掉电模式。当FB引脚利用外部的掉电脉冲信号(≥2．5ms)或因轻载状态被拉高时，将发生掉电模式，开关完全被禁止，器件在超低功耗下操作。当通过一个开关将BP引脚上电压拉低到1．5V以下时(见图3)，器件被唤醒或者复位，BP引脚上电容被再充电。当旁路电容被充电到门限电平VBP(5．85V)时，器件则进入正常操作。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/176951.htm
2．4 反馈输入电路恒压(CV)模式
反馈输入电路的参考电压为1．70V，当FB引脚上的电压达到1．70V时，在反馈电路输出上则产生一个低逻辑电平(禁止)，并且在每一个周期开始时被采样。如果反馈电路输出高电平，MOSFET则导通(使能)，否则关断(禁止)。由于采样在每一个周期开始时完成，在剩余周期部分被忽略期间，引脚FB上的电压将发生变化。
2．5 全方位保护
(1)输出功率限制
当FB引脚上的电压满载并降至1．70V以下时，将自动启动0．9V的门限电压，振荡器频率降低40％，该功能限制电源输出电流和功率。
(2)BP引脚欠电压／过电压保护
当器件BP引脚上电压洚至4．85V以下时，功率MOSFET则停止开关。当BP引脚上电压上升到5．85V时，功率MOSFET将导通使能。
如果器件引脚BP上电压升至6．45V以上，锁存器将置位，MOSFET则停止开关。为复位锁存器，引脚BP上的电压必须拉低到1．5V以下。
(3)过温度保护
当芯片温度超过142°时，功率MOSFET被禁止运行。一旦芯片温度降至72℃以下，MOSFET重新使能。
(4)电流限制
器件的电流限制电路检测MOSFET电流，一旦该电流超过内部门限电平，MOSFET将截止。在MOSFET导通后265ns的短时间内，前沿消隐(LE B)电路禁止电流限制比较器操作。前沿消隐时间(265ns)保证电容和整流二极管反向恢复期间引起的电流尖峰不会过早终止MOSFET导通。
(5)引脚FBh的开环保护
当检测到在器件引脚FB上的开环故障时，内部电流源将引脚FB上的电压上拉到1．70V以上，器件则停止开关，并在160个周期之后进入掉电模式。
(6)自动重启动
当出现输出短路等故障时，LinkZero-AX则进入自动重启动操作。每当引脚FB上的电压超过0．9V的自动重启动门限时，振荡器复位，内部计数器计时。如果FB引脚上电压低于0．9V持续时间长于145ms到1.70ms(取决于AC线路电压)，MOSFET将停止开关。在典型12％的占空比上，自动重启动使MOSFET开关交替使能和禁止，直到故障解除为止。
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