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一种基于开关逻辑结构的低功耗SAR ADC的设计

作者: 时间:2012-05-02 来源:网络 收藏

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/177369.htm

表1测试结果

表1 SAR ADC测试结果

3 电路仿真与芯片测试

  利用CadenceAMS作为仿真工具,对进行了功能仿真,采用FFT 法分析的动态性能,得到的频谱图如图4 所示。仿真所得信噪失真比(SNDR)为60.472,dB.

图4 电路仿真的FFT频谱

图4 电路仿真的FFT频谱

Chartered 0.35,μm,2P4M 工艺,完成了电路的版图,其中单位电容均采用工艺偏差相对较小的poly-poly 电容。图5 给出了经MPW 流片ADC 芯片图。由于电路的非线性与电路的元件匹配有关,其匹配性越好,其线性度越高,因此版图中采用了一系列手段以提高电容阵列的匹配性,包括采用共质心布置版图,降低因芯片面积加大带来的氧化层梯度的影响;电容阵列周边采用虚拟;单位电容采用固定的周长/面积比等。对比表1中的无失真动态范围参数,可以看出线性度提高了11.78%.

图5 SAR ADC芯片

图5 SAR ADC芯片

  使用TeKtronix TLA5204B分析仪和TDS3052B 示波器等工具对MPW 流片回来的芯片进行了测试。图6 给出了D/A 的测试结果,其中EOB 为转换结束信号,dac_out 为D/A 输出信号;SAR ADC在250,kHz 的转换速率下的实测积分非线性(Integralnonlinearity,INL)误差和微分非线性(differnetialnonlinearity,DNL)误差特性曲线[14]如图7 所示。

图6 D/A的测试结果

图6 D/A的测试结果

图7 SAR ADC的INL和DNL的实测曲线

图7 SAR ADC的INL和DNL的实测曲线

  表1 显示了10 位SAR ADC 的整体性能。比较流片后测试结果和仿真结果可见所的SAR ADC较好地达到了低的设计要求,性能良好。

4 结 语

  完成了一款的SAR ADC 设计。其中的D/A 转换器由温度计码的结构来控制,从而减小了的动作频率,降低了整个系统的。测试结果显示,设计的SAR ADC 实现了10 位模数转换功能,转换速率为250 kHz,INL 和DNL 均小于1 个LSB,小于2 mW,表明该电路较好地达到了设计要求。


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