基于全桥移相控制器UC3879的开关电源设计
全桥移相变换器通过改变功率开关控制策略，使其中一个功率管先关断，一次绕组的另一端仍与地相连，这使得漏感、谐振电感和MOSFE T的输出电容构成谐振网络。这样，一次绕组的开路端电压振荡到下管的母线端电位，然后下管MOSFET以ZVS(零电压开关)方式开通。接着与一次绕组滞后端相连的MOSFET可以关断，且滞后端振荡到上管母线端电位，最后上管MOSFET开通。MOSFET的开通、关断波形见图3。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/177578.htm
由于MOSSFET管在关断瞬间，一次绕组的两端都有一个单端流过的负载电流，所以每个MOSFET都实现了ZVS开通、关断，错开了功率器件大电流和高电压同时出现的硬开关状态，抑制了MOSFET开通、关断时产生的电压尖峰，减少了开关损耗与干扰。
4 谐振电感设计原则
ZVS的实质就是：利用谐振过程对并联电容充放电，让某一桥臂电压Ua或Ub快速升至电源电压或降至零值，使同一桥臂即将开通管的并联二极管导通，把该管两端电压迅速钳在零位。而在主变压器源端串接自我谐振电感Lr，可促使变换器滞后臂实现ZVS。
由于只有Lr参与谐振，如果谐振开始时Lr电流iLr较小，Lr储能不够，电容C的谐振电压Uc的峰值就有可能达不到Uin，开关管的并联二极管就不能导通，其对应的开关管就不能实现零电压开通。为了使电容的谐振电压峰值能够达到Uin，电感的储能必须足够，在谐振开始时电感Lr的电流iLr(0)必须满足：
这一不等式是设计谐振电感Lr的依据。
Lr取值较大可有效抑制原边电流急剧变化引起的寄生振荡，减小上冲或下冲的尖峰毛刺，降低开关损耗；但Lr过大又会延长占空比丢失时间，降低整机效率。Lr取值小些可缩短原边电流在死区时间谐振过零的反向过程，在输入电压最低、输出电流最大时仍能控制移相稳压，提升电源效率；但Lr过小，虽使占空比丢失减小，但原边电流上冲或下冲的尖峰毛刺会显著增大，增大开关损耗，降低电源的可靠性。因此，在实际的设计过程中，在允许的范围内要多做比较，不断优化，以试验数据为准。
5 结论
经设计、调试后，开关电源在环境实验及常温连续工作过程中输出电压稳定，动态响应较快，供电品质较高，满足设计指标要求。
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