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一种新型高线性度采样开关的设计

作者: 时间:2011-12-23 来源:网络 收藏

1.2中比较器的
由于要求达到14位的精度,从而导致比较器的精度必须达到16位以上。运放型比较器的精度公式为
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式(3)中AV为比较器增益;VOH,VOL分别表示输出高低电平,较高精度需保证一定的增益。
比较器采用MOS二极管连接类型的负载,分别等效为正、负电阻,同时输出串联两个反相器以增加后级驱动能力,如图4所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/178157.htm

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时的非理想效应如电荷注入等可等效看作是输入信号的共模噪声,会严重地影响度,因此采用输入输出全差分结构来抑制。为达到一定的增益要求,可采用电流源负载,但需要单独的偏置电路产生偏置电压,增加了复杂性。MOS二极管连接形式的负载对增益和运放带宽的影响比较折中,因此可用作负载。由小信号等效分析可得,该运放的增益由式(4)给出。
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其中,gM1,gM3和gM4分别对应输入管M1和负载管M3和M4的跨导参数。由传统运放理论可知:要增加增益需增大输入对管的跨导,但由于电压型运放的增益带宽积为固定常数,因此一味地增加输入管跨导会导致带宽变小,从而影响速度。由式(4)可知,中只要gM3与gM4差值较小,gM1不需要过大,运放就可达到较高的增益,故中可采用较小的晶体管来抑制增益带宽积为固定值的不利影响,同时较小的晶体管尺寸可以有效降低其寄生电容效应,从而减小输入寄生电容对采样速度和精度的影响。
非理想情况下,由于工艺偏差等因素造成比较器随机产生一定的失调电压,会影响比较器可比较的最小精度。从统计学角度分析,其服从均值为零的高斯分布,比较器的失调电压近似为
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其中,l.jpg为输入管的失调方差;m.jpg为负载管的失调方差;AVTN,AVTP和AWLN,AWLP分别是与具体工艺相关的阈值电压失调因子和尺寸失调因子,在特定工艺下为常数,随着工艺制程的进步,其值随之减小。由式(6)可知,比较器的失调与晶体管的尺寸成反比,因此为了较小的失调,应适度地增加晶体管尺寸,但同时会导致寄生效益增加,故需折衷考虑。



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