大功率VDMOS(200 V)的设计研究
1．4 导通电阻的设计
导通电阻Ron=Rcs+Rbs+Rch+Ra+Rj+Re+Rbd+Rcd。各部分的含义为：Rcs为源极引线与N+源区接触电阻，该电阻可通过适当的金属化工艺而使之忽略不计；Rbs源区串联电阻；Rch沟道电阻；Ra栅电极正下方N-区表面积累层电阻；RJ相邻两P阱间形成的J型管区电阻；Re高阻外延层的导通电阻；Rbd漏极N+层(即衬底)的导通电阻，由于此处杂质浓度较高，因此Rbd可忽略不计；Rcd为漏极接触电阻，其阻值较小，可忽略不计。
在200 V的器件中Rch起着主要作用：
理论上可以通过减小沟道长度或增加沟道内电子迁移率的办法来减小沟道电阻。但对于N沟道MOSFET器件，电子迁移率可近似看作常数，而沟道长度受到沟道穿通二次击穿的限制。目前通过增加沟道宽度即提高元胞密度是减小沟道电阻的主要方法。
1．5 参数的仿真结果
该器件用Tsuprem 4和Medici软件混合仿真。关键工艺参数为：外延厚度20μm，外延电阻率5Ω·cm；栅氧厚度52 nm(5+40+5 min)；P阱注入剂量在3×1013cm-3，推阱时间为65 min。表2给出了静态参数表。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/178213.htm
各参数仿真图如图1，图2所示。
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