新型高可靠性低功耗6管SRAM单元设计
2．4 读／写仿真
为了进一步验证新型6T-SRAM读／写功能的正确性，以及与传统6T-SRAM单元的比较，采用HSpice对两种管子进行了读／写仿真。如图4-图7所示。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/178360.htm
新型6T-SRAM存储单元的读／写仿真表明，单个存储单元的读／写时间在0．2 ns内，符合存储器在高速状态下运行的需要。
3 结语
本文提出一种新型的SRAM单元，新型6T-SRAM单元有两个单独的数据访问机制，一个是读操作，另外一个是写操作。而且，SRAM单元设计不干扰存储节点的读操作过程。该SRAM单元是在0．18μm工艺下仿真的，新型SRAM采用漏电流保持技术，从而不需要刷新来维持数据，并且仿真显示功耗比较传统SRAM低了很多，读／写速度方面比传统SRAM慢了一点，但是这是在可以接受的范围内。
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