一种新型的电流模式曲率补偿带隙基准源
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2新型曲率补偿的带隙基准结构
2．1电流IREF2的引入
从式(3)可以看出来，Veb的非线性特性可以通过改变BJT管的集电极电流温度特性加以控制。本文将要介绍的温度补偿技术正是基于这个性质。图2显示了第三个电流IREF2的引入。如图2所示，IREF2是由BJT管Q2的射基电压产生的，Q2的集电极电流是一个与温度无关的电流IREF，由输出参考电流镜像得到。因此，与传统带隙基准的BJT管的射基极电压不同，管Q2的射基电压VebQ2的m=0。下面将具体介绍如何利用IREF2进行曲率补偿。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/179146.htm
2．2 电路结构与分析
实现低压工作和曲率补偿的完整电路结构如图3所示。该电路共包含了5个部分：2个电流生成电路，1个偏置电路，1个启动电路和1个电流相减电路。图中IREF1是2个电流之和，由传统的带隙基准电路产生，可表示为：
通过电流镜的镜像，得到IREF为：
式中：K1是M3和M2的宽长比比值；K2是M9和M7的宽长比比值。因为Q1a和Q1b的集电极电流为PTAT电流IPTAT，而Q2的集电极电流为与温度无关的电流IREF，回顾式(3)，VebQ1a和VebQ2可分别写成：
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