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双H桥双峰双向脉冲电镀电源设计与仿真

作者: 时间:2011-05-03 来源:网络 收藏

中第一个H桥开关管选用IR公司HEXFET系列的功率MOSFET管IRFP450L:td(off)=30ns,tf=30 ns,所以开关管的关断时间:toff=tf+td(off)=30+30=60 ns。第二个H桥开关管选用IGBT管GT40T101,选用的方法与选用第一个H桥开关管类似,此处不累赘。
高频变压器原边绕组匝数为118,副边绕组匝数为14,匝数比n=8.3。
2)全桥移向变换器中Llk的选择
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联立以上两式得:
26.892 μHLlk747 μH本中取Llk=30μH。
3)超前桥臂开关管并联电容Cr(C1、C2)的选择缓冲电容Cr的作用是实现超前臂的软开关关断,为了保证超前臂不直通,必须满足
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其中fL是输出滤波电感的工作频率fL=2f=40 kHz;Ioccm是维持电感电流连续的标称最小电流,本中取:Ioccm=10%Io;得到L=44.6μH增加裕度10%,本设计中L取值为50μH。
6)输出滤波电容的选择
本设计选用4 700 μH钽电解电容和4.7 μF普通电容并联滤波。
7)全桥移向软开关各时间段的计算
l.JPG
本设计中由于用PISIM软件,其中PWM模块是利用开关点的数目和开关点(用度表示)来设置,所以必须将对应的时间转换为角度。
PWM1:频率:20kHz;开关点数:2;开关点:1.7928 180;
PWM2:频率:20kHz;开关点数:2;开关点:181.7928360;
PWM3:频率:20 kHz;开关点数:2;开关点:216576.395.13:
PWM4:频率:20kHz;开关点数:2;开关点:36.576 215.13;
PWM5:频率:100Hz;开关点数:4;开关点:0 60 90 150;
PWM6:频率:100Hz:开关点数=4;开关点:180 240 270 330;
PWM7:频率:100Hz;开关点数:4;开关点:180 240 270 330;
PWM8:频率:100Hz;开关点数:4;开关点:0 60 90 150;

5 主电路结果
本设计利用PSIM作为软件,它是专门为电力电子和电动机控制设计的一款仿真软件。它具有快速的仿真功能和友好的用户界面等优点,针对不同用户而提供的一种强有效的仿真环境。PSIM具有独特仿真速度、可控制任意大小的电力变换回路、及对控制回路仿真功能的特点,在各个不同系统的仿真领域、控制环的设计、以及电机驱动系统设计领域被广泛应用。PSIM作为仿真工具以及设计工具使用,可以大大提高工作效率和生产性能,对降低开发成本和到出厂时间的缩短都起到举足轻重的作用。仿真结果如图3所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/179155.htm

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6 结束语
1)无孔针镀镍:用直流,48 h,镀层厚度240 μm,且镀层粗糙。采用,镀层厚度240μm只需20 h,表面光滑,无毛刺。节约时间将近2倍。
2)双镀铜:给PCB板镀铜,用普通直流时通常出现孔径两端之铜层过厚但中心铜层不足之现象,导致印刷电路板不合格,现采用电镀,脉冲频率1000 Hz,正向开通时间为300 μs,正向关断时间50μs,反向开通时间为100 μs,反向关断时间为50μs,即可克服直流电镀时出现孔径两端之铜层过厚但中心铜层不足之现象。
从以上实验证明,此方案既能提高电镀质量,又能节约电镀时间,有较好的应用价值。


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