如图4所示:图中D4选用高频低压降肖特基管,用于V1的抗过饱,减小存储时间提高关断速度.D2用超快恢复二极管.其工作原理:C1对开通瞬间不能突变,有两个作用:一是方波高于ZW稳压值使V1基极偏置而导通,经R5与D3对FET驱动导通后漏极处低电平D2导通箝位,V1的偏置回路维持导通,电容C1始终处于低电平.当发生过流时,VDS迅速上升,ZW低于稳压值将失去导通回路V1将截止.二是R3与C1形成积分延时,并且C1可通过R3在负半周的负电位而更加可靠地开通V1.
3.3增加软关断技术的驱动保护电路
对于IGBT器件增加软关断技术的电路如图5所示:
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