利用计算机设计单片开关电源讲座
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（3）TOPSwitch关断且次级电路处于导通状态时，
次级电压会感应到初级。感应电压UOR与UI相叠加后，加至内部功率开关管（MOSFET）的漏极上。此时初级漏感释放能量，并在漏极上产生尖峰电压UL。由于上述不利情况同时出现，极易损坏芯片，因此需给初级增加钳位保护电路。利用TVS器件来吸收尖峰电压的瞬间能量，使上述三种电压之和不超过漏－源击穿电压U（BR）DS值。
表4确定UOR、UB值
| U（V） | UOR(V) | UB(V) |
|---|---|---|
| 固定输入：100/115 | 60 | 90 |
| 通用输入：85～265 | 135 | 200 |
| 固定输入：230±15％ | 135 | 200 |
[步骤5]根据UImin和UOR来确定最大占空比Dmax
Dmax的计算公式为：
Dmax=×100％（1）
（1）MOSFET的通态漏－源电压UDS（ON）=10V。
（2）应在U=Umin时确定Dmax。
若将UOR=135V、UImin=90V、UDS(ON)=10V一并代入式（1），可计算出Dmax=64.3％，这与典型值67％非常接近。Dmax随着U的升高而减小，例如当U=Umax=265V时，Dmax=34.6％。
[步骤6]确定初级脉动电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP
定义比例系数
KRP=IR/IP(2)
（1）当U确定之后，KRP有一定的取值范围。在110V／
115V或宽范围电压输入时，可选KRP=0.4，当230V输入时，取KRP=0.6。
（2）在整个迭代过程中，可适当增大KRP的值，但不得超过表5中规定的最大值。
表5确定KRP
| U（V） | KRP | |
|---|---|---|
| 最小值（连续模式） | 最大值（不连续模式） | |
| 固定输入：100/115 | 0.4 | 1.0 |
| 通用输入：85～265 | 0.4 | 1.0 |
| 固定输入：230±15％ | 0.6 | 1.0 |
计算下列参数（电流单位均取A）：
（1）输入电流的平均值IAVG
IAVG=（3）
（2）初级峰值电流IP
IP=（4）
（3）初级脉动电流IR〔可由式（2）求得〕
（4）初级有效值电流IRMS
IRMS=IP（5）
[步骤8]根据电子数据表格和所需IP值，选择TOPSwitch芯片
（1）所选极限电流最小值ILIMIT(min)应满足
0.9ILIMIT(min)≥IP（6）
（2）若芯片散热不良，则选功率稍大些的芯片。
[步骤9和步骤10]计算芯片的结温Tj
（1）计算结温Tj
Tj=〔IRMS2×RDS(ON)＋CXT(UImax＋UOR)2f〕·
RθA＋25℃（7）
式中：CXT是漏极结点的等效电容。括号内第二项代表当交流输入电压较高时，由于CXT不断被充放电而引起的开关损耗，可用PCXT表示。
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