薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

很明显，就其内部端接而言，薄膜电阻器技术可以更好地抵抗硫污染。除此之外，采用薄膜技术的电阻器也具有整体稳定性、更低的噪声以及更低的寄生电容和电感（取决于电阻值）。图2展示了常见的薄膜电阻器，它比厚膜片状电阻器有显著的改善，特别是它的电阻值较大。

图2 根据额定电阻值而变化的典型电流噪声等级

在过去，这种电噪声更低的改进措施只有在高端音频应用中才能体现其重要性。但是，厚膜电阻器难以满足目前最新的高速通信设备，例如路由器、网桥和DSL调制解调器等对噪声的要求。许多因素导致厚膜电阻器的噪声更大，薄膜和厚膜技术最显著的一个差异体现在激光修整特性上。一旦烧制成功，厚膜材料的性状实际上与玻璃类似。因此，随着材料的冷却，激光修整会在修整区域周围形成许多细小的微裂痕。这些微裂痕是寄生电容和错误电流路径的一种来源，所有这些都会固有地导致对高速通信信号的处理性能的下降。

为了降低激光修整对厚膜元件的影响，制造商通常会增加一层绝缘玻璃来稳定激光修整。这一层包含微量的铅，而且人们深知它对于保持厚膜电阻器长期可靠性的重要性；鉴于其重要性，这种绝缘玻璃层目前属于RoHS标准的豁免项目。

但是，这种豁免今后是会继续存在，抑或业界会要求使用一种不含铅的激光修整稳定的备选方法，前景尚不明朗。薄膜技术可以提供一种“更为绿色”或更为环保的电阻器，因为它不需要使用几乎所有厚膜芯片都会用到的含铅玻璃。

发展
薄膜技术以及厚膜技术的一项最新发展是在给定的EIA标准片状电阻器尺寸上获得了更高的额定功率（如表1所示）。这一重要进步使得工程师能够使设计小型化，而无须牺牲功率处理能力。对于增强电流设计、减小未来设计的尺寸、产出更小的最终产品或在同尺寸产品中提供更多功能而言，这项突破都是至关重要的。

影响薄膜技术批量应用于片状电阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片状电阻器的常见价位要比最接近它的厚膜同类产品高10100倍。为了减少这种差异，供应商需要对薄膜材料进行完全重新设计，以满足高速低成本生产的需要。它还需要开发一种高速的内联式薄膜制造工艺。降低成本的最后一步是将对薄膜材料的要求从高精度级别（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放宽到商用、通用和商品级别（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。这3项进步可以同时应用于价格仅为常见商品厚膜片状电阻器的10%20%的片状电阻器。那可能是所有发展中最引人注目的一项。