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主动“ORing”方案降低了功率损耗和设备尺寸

作者: 时间:2009-06-18 来源:网络 收藏
PI2121是一个8V、2A的器件,可以用于总线电压小于等于5V的应用;PI2123是一个15V、15A的器件,可以用于总线电压小于等于9.6V的应用;而PI2125是一个30V、12A的器件,可以用于总线电压不大于12V的应用。PI2121、PI2123和PI2125的典型导通电阻分别是1.5mΩ、3mΩ和5.5mΩ。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/188901.htm


Cool-可以由标准的10脚TDFN封装和8脚SOIC封装形式的单独控制器提供,这些封装的器件可以驱动外部标准的N沟道MOSFET,并且其功能与全部功能的集成完全相同(如图2所示)。

图2 当输入电源发生短路故障时PI2001的典型动态响应


Picor的PI2003是针对48V冗余电源架构优化的控制器,特别适合需要瞬态电压在100ms时间内上升达100V输入电压的系统。PI2003的低静态电流使其可以直接输入48V电压,也简化了低损耗偏置。

主动技术中的负载分离特征
常规技术和主动ORing技术解决不能在负载故障时保护输出,这是因为总有一个二极管正向偏置电流要流到输出端。在标准二极管ORing技术中,这是显而易见的,但使用常规主动ORing技术,即使当MOSFET关闭的时候,也有一个寄生体二极管存在,并有正向电流流过它,而且是不可能断开它的。


Cool-ORing技术也包括一个负载分离的特征。PI2122全功能解决方案集成了一个具有背对背配置的MOSFET(它们可以提供极低的导通电阻)的高速控制器,封装为高密度强化散热的5mm×7mm LGA封装,并为不大于5V总线的应用进行了优化。


PI2122是7V、12A的器件,具有实际上典型值为6mΩ的导通电阻,可以使它具有非常高的效率。通过采用背对背MOSFET,内部寄生体二极管彼此是反向的,因此当MOSFET关闭的时候,阻止了正向和反向电流。


该产品作为主动ORing技术的解决方案,也能够检测输出负载故障时的过电流。这个功能在独立控制器PI2002中也存在,它可以驱动外部标准背对背配置的N沟道MOSFET。


冗余供电架构依赖于采用宽总线电压的有效ORing技术方案。Picor公司的Cool-ORing系列主动ORing方案的价值是下一代高可用系统的关键。


全功能解决方案将高速控制器和高性能MOSFET技术融合在一起,在高密度强化散热的LGA封装中实现了极低的损耗。这些解决方案与传统的主动ORing技术相比节省了50%的空间。


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