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一种通用的FPGA位元电路

作者: 时间:2012-05-02 来源:网络 收藏

2 反熔丝位元的写入过程
如图1所示,每个反熔丝存储结构包括两个反熔丝C1、C2,高压管M1、M2以及一个起编程控制作用的或非门。反熔丝采用MOS管做电容,利用栅氧击穿来熔通。或非门的两端分别接在行译码(WL)和列译码(BL)上,当反熔丝存储结构工作在编程模式的时候,WL、BL端同时输入低电平,通过或非门输出高电平,使高压管M1处于开启状态,这样就使反熔丝电容的一端接地;同时PRG_OEM端接低电平关断,以保护后面的普通管不受编程高压的影响。
此时在PRG_VDD端加编程高压(0.35μm工艺为15V),PRG_GND端加低压信号,则C1两端由于电压差很大(15V),被烧断,C2两端的电压相同,仍保持原来的状态,称处于该状态的反熔丝存储结构为状态一,如图2所示。相反的,当PRG_VDD端加低电压,PRG_GND端加编程高电压时,C2两端电压差达到15V,被烧断,C1两端电压基本相同,保持原来的状态,我们称处于该状态的反熔丝存储结构为状态二,如图2所示。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/190440.htm

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编程完成后,使或非门输入端的WL、BL信号都为高电平,M1处于关断状态,PRG_OEM端接高电平,M2管打开,这时可以简化为图2。状态一中,当PRG_VDD加电源电压(一般为5V),data输出高电平1,即状态一可以存储1;状态二中,当PRG_GND加低电压,data输出低电平,即状态二可以存储0。
在该反熔丝存储单元中使用两个电容而不用一个的原因是:如果只采用一个反熔丝,当存储0时,其一定不能加高压编程,即反熔丝不能被烧断,这就会出现M3管的栅极的电平不能确定的情况发生。

3 反熔丝位元的读出过程
图2所示是编程后的反熔丝位元电路,当反熔丝位元电路工作在读取状态时,PRG_VDD接高电平(电源电压,一般为5V),PRG_GND接低电平此时,状态一(即存储1状态)中,由于C1原来的位置已经被烧断而变成了一个电阻,所以data输出1,M3管的栅极上而处于高电平状态,M3被导通,X和Y连在了一起。在状态二(即存储0状态)中,由于C2被烧断而变成了一个电阻,但是高电平却由于C1的阻挡而不能向下传输,因此data输出0,M3的栅极处于低电平状态,M3管关断,X和Y没有连在一起。
此反熔丝位元电路具有普遍性,对于日前市场上的反熔丝型结构基本都可以适用。图2中M3开关管的存存,是为了使下而叙述的基丁LB结构的容易布线,在必要的时候可以省略。

4 应用实例
在图3的电路中,LB采用Actel熔丝型FPGA中采用的逻辑单元,空心圆圈和实心圆圈均代表一个图1所示的反熔丝位元电路,由LB引出的长纵线是将LB上半部分六个反熔丝位元电路中的Y端和下半部分六个反熔丝位元电路中的Y端连接在一起,引线标号为0-11的横线是将反熔丝位元电路的X端连在一起。由外部IO引出的短纵线是为了让外接逻辑信号进入指定模块。引线标号为3—8的横线上没有纵线连接的反熔丝位元电路(实心圆圈代表的反熔丝位元电路),足为了让左右两面的反熔丝位元咀路的X端连接在一起的,当其烧通后,其左右两端的反熔丝变连接在一起了,此种位元电路一般称为可编程分离开关。可编程开关的存在可以减少横线数量,优化布线最后剩下的标有VCC或CLK或CND的横线,处于这几行上面的反熔丝位元电路,是为反熔丝位元电路提供读取时的电平。

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关键词:FPGA电路

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