基于NAND FLASH的高速大容量存储系统设计
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2．3 坏块处理技术
NAND型FLASH芯片在出厂时内部会随机分布有坏块，坏块是指一个块内含有一位或更多位的数据单元无法进行操作，并且在芯片的长期使用过程中不可避免地还会增加新的坏块。不允许对坏块进行擦除和编程操作，这样会导致数据的存储错误。因此在操作FLASH的过程中，需要建立一个坏块管理列表，将芯片内部的所有坏块信息写入列表中，并且在出现新的坏快时能够及时的更新坏块管理列表。
FLASH内部的坏块有两种，一种是芯片出厂时本身含有的初始坏块，此类坏块厂家已经标明，通过读取芯片每块第一页和第二页的第4 096个字节来进行判断，如果均是“FFH”，则认为此块是有效块，否则便为坏块。另一种则是在使用过程中新增加的坏块，可以通过读状态寄存器来进行判断。
坏块管理列表的建立和更新可以使用将其内部地址空间和FLASH内部块地址一一对应的映射方法，当发现是坏块时，只需将列表中对应此块地址的单元写入1比特“0”信息即可，而其余的地址单元仍是1比特“1”信息代表有效块。在对FLASH的每一块进行操作之前，需要先读取坏块管理列表中对应此块地址单元的信息，如果发现是坏块就跳过此块不进行操作，然后再进行下一块的判断，直至找到有效块时再进行操作。坏块管理列表的建立和更新分别如图2、图3所示。本文引用地址：//m.amcfsurvey.com/article/191199.htm
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