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高频信号干扰

作者: 时间:2010-01-04 来源:网络 收藏

问:那么法国用户的问题是如何解决的?

答:他们的问题用2只电阻器、三片电容器和一块接地铜片便解决了问题。我们离 开La Cognette 饭店,凯旋而归。

问:最后,请你讲一下有关电源去耦问题。

答:所有精密模拟集成电路(IC)甚至低频电路都含有截止频率为几百兆赫的晶体 管 。因此这些器件的电源必须对地去耦,在尽量靠近IC高频处返回以防止在甚高频情况下的不 稳定性。使用的这种去耦电容必须具有低自感而且其引线应该尽可能短(最好用10~100 nF 表面安装陶瓷电容芯片,但其引脚长度如果小于2 mm一般最为有效,见图165。)
低频去耦也很重要,因为电源抑制(PSR)通常在直流条件下规定并且随电源脉动频率的 增加而明显变坏。在某些高增益应用中,通过公共电源阻抗的反馈

a1605a.gif (10862 字节)

理想的高频去耦要求:

1.低电感电容器(单片陶瓷电容器)

2.靠紧集成电路安装

3.短引脚电容器

4.短而宽的导电带

使用钽电解电容进行旁路可提供好的低频去耦。

这种长引线没有好处

a1605b.gif (25661 字节)

能够产生低频不稳定(低音频振荡)。但对每个集成电路都进行低频去耦,通常是没有必要的 。 电源去耦不只是防止不稳定。运算放大器(至少)是有四个端子的器件,因为对于两个信 号输入端和一个信号输出端来说肯定有一个返回路径。习惯上把运算放大器的两个电源(指 有正、负电源的运算放大器)的公共端看作输出信号的返回路径,但实际上,其中一个电源 将是真实的高频返回路径。所以对放大器这个电源端的去耦问题,必须既要考虑正常高频去 耦又要考虑输出地返回路径的去耦。


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关键词:高频信号干扰

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