基于NAND Flash的大容量立体封装芯片在嵌入式系统中的应用

软件设计

　　根据前面的介绍，通过图3的硬件连接方式，可以实现对芯片的读写，擦除等控制操作，已可以满足各种场合的应用，S698-mil处理器是通过GPIO来操作控制VDNF64G08的，所以需要对底层操作需要比较了解，下面简单介绍一些常用操作的实现。

　　S698-mil芯片GPIO0对应的寄存器地址为0x2000 0000 – 0x27ff ffff，因为VDNF64G08芯片位宽是8bit的，所以需要把MCU的GPIO位宽也定义成8bit，根据前面的硬件连接可以知道地址低3位对应到VDNF64G08芯片的片选信号，add[4]对应到CLE，add[5]对应到ALE，为了方便编程，这里做以下宏定义 :
　　#define NF_ADDREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000010 + CE))
　　#define NF_CMDREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000008 + CE))
　　#define NF_DATAREG(CE) (*(volatile unsigned char *) (0x20000000 + CE))

　　读芯片ID

　　根据芯片指令表，可以知道读ID芯片只需要写入命令0x90，然后在写入地址0x0即可，详细操作可以根据以下时序图进行：
　　int readID(unsigned char CE,unsigned IDlength)
　　{
　　unsigned char ID[],i;
　　NF_CMDREG(CE) = 0x90;
　　NF_ADDREG(CE) = 0x0;
　　delayed(1);
　　for(i = 0;i < IDlength;i++)
　　{
　　ID[i] = NF_DATAREG(CE);
　　}
　　i = i - 1;
　　printf("CHIP CE d% ID:0x%x",ID[0]);
　　while(i){
　　printf("-%x",ID[IDlength - i]);
　　i --;
　　}
　　printf("nr");
　　}

　　芯片坏块查询

　　由于NANDFlash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块。为了检测数据的可靠性，在应用NANDFlash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略，而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测。检测流程如图4所示。