浅析选用高斯计的方法

四、永磁B-H磁滞回线测量仪

永磁B-H磁滞回线测量仪可测量永磁材料的磁滞回线和退磁曲线，准确测量剩磁Br、矫顽力HcB、内禀矫顽力HcJ和最大能积(BH)max等磁特性参数。

随着计算机系统集成技术的迅速发展与应用，基于计算机操作平台的磁测量系统也应运而生。

五、充磁

在磁体长度接近充磁线圈的情况下充磁时，磁体的垂直中心位置应与充磁线圈的垂直中心位置重合，这样才能保证磁体两端磁场强度相等，保证充磁的对称性减小由於充磁方法的原因造成磁体两端表面磁场强度相等。

理论证明，充磁线圈两端磁场强度是线圈的中心点的磁场强度是的1/2，在磁体接近充磁线圈的长度时，对於H、SH以上系列的产品有可能无法饱和充磁，当磁场强度不是足够大时，即使时M、N系列的产品也无法饱和充磁。在一般情况下，充磁磁体的长度最好小於充磁线圈的2/3。

六、磁体易磁化方向的判定

对於正方形方块、垂直轴向取向的圆柱都存在取向(易磁化方向)的识别问题，可以采用已充磁的产品或借用仪器进行识别，具体方法如下：

(1)、用已充磁的产品进行识别：对於正方形方块，由於材料的各向异性，磁筹是按取向方向排列，因而取向方向易於磁化，磁化之后异极相吸吸力较大，而非取向方向的吸力则小，以次来识别判定取向方向;检测用的磁铁应稍大一些，过磁体小时吸力大小差异不易判别;对於垂直轴向取向的圆柱，一般只能用已充磁的磁体进行检测：用磁铁吸圆柱表面，将圆柱吸起，与地面垂直的方向即为取向充磁方向;

(2)、利用磁通计进行识别：可以在正方形材料上吸一块磁铁，磁铁的方向与磁通线圈垂直，磁通值相对较大的一面为取向面，与此面垂直的方向为取向方向。

高斯(G)，非国际通用的磁感应强度单位。为纪念德国物理学家和数学家高斯而命名。

单拉换算：1T(特斯拉)=1000MT(毫特斯拉)=10000GS(高斯)

1MT=10GS

什么是霍尔效应

半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，如图所示。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多，FE也越大，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。

由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。