技术提升助LED室内照明发展

　　2　提升关键之一———芯片技术

　　目前的芯片技术发展关键在于衬底材料的选择和外延片的生长技术。除了传统衬底材料蓝宝石、Si、SiC之外，ZnO和GaN等衬底材料也是目前业界研究的热点。无论是用于重点照明和整体照明的大功率芯片，还是用于装饰照明和一些辅助照明的小功率芯片，技术提升的关键都是围绕着降低缺陷密度及如何研发出更高效稳定的器件而进行的，而如何提升LED芯片的效率则是目前提升整体技术指标的重中之重。

　　在短短数年内，借助表面粗化、量子阱结构设计等一系列技术的改进，目前由中村修二（LED蓝光之父）领导的UCSB小组和在流明效率的提高上有了较大的突破（见表2）。另外，中村修二在2008年上海张江举行的半导体前沿技术论坛中宣布，他们研制的效率为150lm/W的产品是基于318V的驱动电压实现的，现在有望将LED的能带隙偏置电压降低至218V,根据推算，届时效率将会提高到193lm/W。

　　UCSB小组正在着手研究基于衬底材料非极性面和半极性面上生长LED量子阱，并以此技术来提升LED量子效率。就目前进展而言，他们已成功将在半极性面上生长出来单量子阱，其黄色LED外量子效率提高到1314%。随着该工艺的不断成熟，LED量子效率将会得到进一步的提升，LED芯片的发光效率也有望进一步提高。

　　3　提升关键之二———封装技术

　　3.1　单芯片封装

　　单芯片封装是封装技术中采用最多的形式之一。略去多芯片封装需要顾及到更多的散热和电极分布方面的问题，该封装技术瓶颈主要在于芯片的成品率、色温控制以及荧光粉的涂布工艺。

目前就大功率LED芯片技术而言，主要还是掌握在国外厂商之中。国内厂商虽然起步比较晚，在小功率芯片上已经取得一些进步，大功率芯片上在良率和效率上还需要作进一步完善。