一起由于电磁干扰造成断路器误合闸的事故分析

由于快速瞬变脉冲群的频率很高，达到100MHz，此时光耦器件的高频等效电路如图2所示。一般厂家仅给出光耦器件的原、副方之间的电容(图2中C1)的值，如TLP121光耦器件的电容值为0.8 pF。事实上，光耦器件的原方与副方接收三极管基极之问存在杂散电容(图2中C2)。

高频瞬变骚扰在光耦器件构成的开入量输入回路中传输途径为：幅值极高的瞬变骚扰信号一光耦原方一原方与副方三极管基极之间的电容C2一副

方三极管的基极一集电极一电容C3，C4一大地，致使接收三极管导通，造成光耦器件误翻转，这就是光耦器件在快速瞬变脉冲群干扰下产生“瞬态饱和” 的根本原因。

4 改进办法

通过上述分析可以断定，这次开关误合闸是由于电磁十扰通过光耦元件窜入同期开入同路造成的，虽然具体的干扰源无法确定，但是测控装置的

同期开入确认时间只有4 ms，这是明 偏短的。另外对测控装置的同期开入回路做开入电压测量试验时发现，同期CPU板虽然采用24 V作为正常

开入电压，但是我们外加4 V电压时，同期开入就会动作，这个电压门槛也明显偏低。

调试人员又做过多次遥控合闸和手动合闸试验，遥控合闸时同期开入从动作到返回时间同定为120 ms，这个时间是由测控装置整定的;手动合闸

时同期开入从动作到返回时间就是人为操作6SA合闸过程的持续时间，这个时问每次都大于200 ms。

为了提高测控装置同期开入的抗干扰能力，在跟厂家技术人员共同研究后，决定首先把同期开入动作电压提高至24 V的55%～7()%，然后把同期

开入确认时间调整为8()ms，保证在同期合闸时有5()%的裕度。经过这样调整后，开关没有再发生误合闸。

5 结束语

变电站的电磁干扰无处不在，微机化二次设备的抗干扰能力是衡量其性能好坏的一个重要指标，因此就要求制造厂家在提高设备抗干扰方面多做考

虑。硬件方面要选用质量好、抗干扰能力强的芯片，软件方面不能一味追求动作速度快，要在速度和可靠性之问找好平衡点。