DS18B20相关总结
5,执行或数据读写:一个存储器操作指令结束后则将进行指令执行或数据的读写,这个操作要视存储器操作指令而定。如执行温度转换指令则控制器(单片机)必须等待 18B20 执行其指令,一般转换时间为 500uS。如执行数据读写指令则需要严格遵循 18B20 的读写时序来操作。数据的读写方法将有下文有详细介绍。
若要读出当前的温度数据我们需要执行两次工作周期,第一个周期为复位、跳过 ROM 指令、执行温度转换存储器操作指令、等待 500uS 温度转换时间。紧接着执行第二个周期为复位、跳过 ROM指令、执行读 RAM 的存储器操作指令、读数据(最多为 9 个字节,中途可停止,只读简单温度值则读前 2 个字节即可)。其它的操作流程也大同小异,在此不多介绍。
DS28B20 芯片 ROM 指令表:
Read ROM(读 ROM)[33H] (方括号中的为16进制的命令字) 这个命令允许总线控制器读到 DS18B20 的 64位 ROM。只有当总线上只存在一个 DS18B20 的时候才可以使用此指令,如果挂接不只一个,当通信时将会发生数据冲突。
Match ROM(指定匹配芯片)[55H]
这个指令后面紧跟着由控制器发出了 64 位序列号,当总线上有多只 DS18B20 时,只有与控制发出的序列号相同的芯片才可以做出反应,其它芯片将等待下一次复位。这条指令适应单芯片和多芯片挂接。
Skip ROM(跳跃 ROM 指令)[CCH]
这条指令使芯片不对 ROM 编码做出反应,在单总线的情况之下,为了节省时间则可以选用此指令。如果在多芯片挂接时使用此指令将会出现数据冲突,导致错误出现。
Search ROM(搜索芯片)[F0H]
在芯片初始化后,搜索指令允许总线上挂接多芯片时用排除法识别所有器件的 64位 ROM。
Alarm Search(报警芯片搜索)[ECH]
在多芯片挂接的情况下,报警芯片搜索指令只对附合温度高于 TH 或小于 TL报警条件的芯片做出反应。只要芯片不掉电,报警状态将被保持,直到再一次测得温度什达不到报警条件为止。
DS28B20 芯片存储器操作指令表:
Write Scratchpad(向 RAM中写数据)[4EH]
这是向 RAM 中写入数据的指令,随后写入的两个字节的数据将会被存到地址 2 (报警RAM 之 TH)和地址 3(报警 RAM 之 TL)。写入过程中可以用复位信号中止写入。
Read Scratchpad (从RAM 中读数据)[BEH]
此指令将从 RAM 中读数据,读地址从地址 0 开始,一直可以读到地址 9,完成整个 RAM 数据的读出。芯片允许在读过程中用复位信号中止读取,即可以不读后面不需要的字节以减少读取时间。
Copy Scratchpad (将 RAM 数据复制到 EEPROM中)[48H]
此指令将 RAM 中的数据存入 EEPROM中,以使数据掉电不丢失。此后由于芯片忙于 EEPROM储存处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出“0”,当储存工作完成时,总线将输出“1”。在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持 10MS,来维持芯片工作。
Convert T(温度转换)[44H]
收到此指令后芯片将进行一次温度转换,将转换的温度值放入 RAM 的第 1、2 地址。此后由于芯片忙于温度转换处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出“0”,当储存工作完成时,总线将输出“1”。在寄生工作方式时必须在发出此指令后立刻超用强上拉并至少保持 500MS,来维持芯片工作。
Recall EEPROM(将 EEPROM中的报警值复制到 RAM)[B8H]
此指令将 EEPROM中的报警值复制到 RAM 中的第 3、4 个字节里。由于芯片忙于复制处理,当控制器发一个读时间隙时,总线上输出“0”,当储存工作完成时,总线将输出“1”。另外,此指令将在芯片上电复位时将被自动执行。这样 RAM 中的两个报警字节位将始终为 EEPROM中数据的镜像。
Read Power Supply(工作方式切换)[B4H]
此指令发出后发出读时间隙,芯片会返回它的电源状态字,“0”为寄生电源状态,“1”为外部电源状态。本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201612/324456.htm
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