正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度

图2. 采用不同的写入缓冲区大小写入128KB连续地址空间所需时间

除写入缓冲区大小外，由上面的数据还可以发现，适当的降低写入时闪存所处的环境温度，也可以对写入速度有所提高。除此之外，适当的提高写入电压，也会提升写入速度。但是对于一个复杂的电子系统，内部操作电压和环境温度往往受其他器件影响难以控制，因此改变温度和写入电压对于擦写速度的提高效果在实际应用中往往存在较大的局限性。相比，选择较大的写入缓冲区大小仅对闪存本身进行操作，在相同环境条件下是提高写入效率最简便易行的方法。

对小范围地址空间的高效写入

还有一个在实际应用中值得工程师关注的问题是，当需要写入的地址空间仅仅是小范围内的，如只有512字节或者更低到64字节，该如何选取写入缓冲区大小才会具有较高的写入速度？对此，采用不同的写入缓冲区大小（64-1024字节）分别对64-512字节的连续地址空间进行写入操作，记录各自所用的写入时间，如图3所示。这里，之所以最低考虑到64字节地址空间，是因为写入到NOR型闪存的数据量通常要高于64字节。如果实际应用中只需要写入更少的地址空间，如只有两字节地址范围，本文的结果依然适用。在使用1024字节的写入缓冲区大小去写入512字节的地址空间时，缓冲区中的前512个字节填入所需要写入的数据，其余用冗余数据（FFh）来填充。结果如图3所示，每条线代表不同的地址空间大小，横坐标表示采用的写入缓冲区大小，纵坐标表示完成所有地址空间写入所用的时间。结果表明，当对64字节连续地址空间进行写入时，采用大于64字节的写入缓冲区大小的写入时间基本相当；同样，当对连续空间大小为512字节时，512字节与1024字节的写入缓冲区大小所用写入时间基本一致，而较低的写入缓冲区大小，如64/128/256字节，则所需时间明显增加。但考虑到用1024字节的写入缓冲区相比使用512字节缓冲区需要多发送512个字节的冗余数据，会耗费512个命令周期时间，因此选择512字节缓冲区大小具有最高的写入效率。因此，当只需写入较小范围的地址空间时，可以选择跟写入地址空间大小相同的缓冲区大小，写入效率最高。当然在实际应用中，如果为了简化操作需要采用固定的写入缓冲区大小，使用大容量的写入缓冲区由于具有较高的平均每字节写入速度，依然具有较高的写入效率。