特朗普科技税收新政助力 Intel发力芯片代工与台积电“抢饭碗”

竞争对手已采取行动

　　多年以来，Intel都一直认为，相较于主要竞争对手台积电，自己现有的14纳米的芯片制造工艺和即将面世的10纳米工艺更具优势，所生产的芯片密度也会更高。Intel解释说，密度更高的芯片可以降低单个晶体管的成本，相比较而言，这种高密度生产技术产出的芯片，在同类产品中可以称得上是密度价格比最高的了。

　　事实上，Intel今年早些时候就声称，虽然同样都是10纳米制造工艺，但其在逻辑密度上的优势比对手足足领先一代。

　　Intel的这一说法的确可信，事实也已经表明他们的10纳米工艺所生产出来的芯片在尺寸上要比竞争对手小得多。然而，Intel貌似忽略了其真正的竞争对手并非台积电的10纳米工艺，而是其最新的7纳米工艺。

　　不凑巧的是，台积电最近刚刚透露了一条关于7纳米生产工艺的关键技术的消息，这也就基本证明了，Intel的产品在芯片密度这一指标上的优势已不复存在。

台积电的7纳米SRAM单元

　　通常对比相同密度芯片、不同生产工艺的有效方法就是建立起一个相同的结构——比如，相同的SRAM(静态随机存储器)。据Intel披露，其使用14纳米所生产的高密度SRAM单元的尺寸只有0.0499平方微米，这显然优于台积电20纳米或16纳米的制造技术。

　　然而，最近台积电又公布了其7纳米工艺所生产的高密度SRAM单元的尺寸已经缩小到只有0.027平方微米了——只相当于Intel的一半。而Intel如果想要重新夺回其在这方面的领先优势，就必须要把它的高密度SRAM单元至少缩减54.1%。

　　Intel的10纳米工艺与台积电7纳米工艺对比

　　比较了Intel连续几代的高密度SRAM单元就会发现，每一代产品尺寸的比例系数相较于上一代基本都维持在0.54左右。

　　Intel的45纳米高密度SRAM单元的确非常粗糙，但到了32纳米阶段，就有很大幅度的改善。而当发展到22纳米和14纳米时，高密度SRAM单元的尺寸依旧在缩小，只不过缩小的比例都小于0.5，和上一代相比降幅没有那么大而已。

　　但只要Intel可以将这一发展势头保持下去，那么它10纳米工艺所生产出来的高密度SRAM单元就可以与台积电的7纳米工艺相抗衡。

　　当然，只是这一次Intel不能再宣称其“领先一代”的说法了。

Intel的新处境

　　由于14纳米和10纳米工艺的研发滞后，Intel已经丧失了曾领先两年的优势地位，落到了与三星、台积电齐头并进的境地。更糟的是，Intel仍没有找到重返领先地位的正确姿势。。

　　与此同时，台积电则正竭尽全力要在芯片密度这一指标上追上Intel，就公开消息判断，他们计划每两年就要对他们芯片的尺寸进行进一步缩小。

　　台积电意欲发力7纳米制程工艺，以击败三星和Intel，并将在2017年上半年试投产

　　而Intel的前景就不太乐观了，据称他们准备将10纳米的工艺一直沿用三代，不过每一代的晶体管的性能都将得到提升，但即便如此Intel也已经很难在芯片尺寸这一指标上赶上台积电了。

　　从商业的角度来讲，芯片丧失在尺寸上的优势对于Intel来讲打击最大的就是潜在客户的流失。Intel计划在移动设备和网络基础设施两个领域发力，如果他们的晶体管表现的和曾经的芯片一样具有优势的话，那么就仍会对客户具有吸引力。