基于NI Multisim 10与LabVIEW的单结晶体管伏安特性测试
SM扫描子VI功能：将采集的数据文件读人，并可以显示出数据或波形，其程序框图如5所示。经SN TRAN转换后得到的数据可以用数值方式显示两个量之间的对应关系；也可以作为图形直观地显示两个量之间的变化趋势。UTJ VI单结晶体管显示子VI功能：显示单结晶体管VE和IE之间的变化趋势，程序框图如图6所示。其前面板显示的单结晶体管伏安特性曲线如图7所示。
2.2 单结晶体管伏安特性参数的读取
游标是图形的特殊个性化特征，利用图形的游标能够准确地读出曲线上任何一点的数据，如图7所示。这里增加了两个游标，分别命名为P：VP&IP和V：VV＆IV，且可以设置成在图中显示，这样既可直观地看出具体点的标记。名称后面的数据分别表示横坐标电压和纵坐标电流的数值，且数据精度可以根据需要设置。因单结晶体管的反向漏电流很小，只是微安级，所以应将精度设置大些，才能体现出数据的变化。移动游标，可以读出任意点的坐标，这样方便于读数，游标的形状、颜色均可以改变，增加了使用的灵活性。
2.3 单结晶体管伏安特性分析
截止区 当加在第二基极与第一基极间的电压VBB固定时，等效电路中A点对B1的电压UA=ηVBB为定值；当VE较小，且VE
负阻区 当VE继续增加，且VE>VA时，管子转向导通，PN结电流开始显著增加，这时将有大量的空穴进入基区，使E，B1间的载流子大量增加，Re1迅速减小，而RB1的减小又使VA降低，导致IE又进一步加大，这种正反馈的过程，使IE急剧增加，VA下降，此时单结晶体管呈现了负阻特性，如图中曲线的P～V段。到了“V”点，负阻特性结束，V点电压Vv称为谷点电压。前面板中V点坐标显示为Vv=0.867 417 V，对应的电流称为谷点电流Iv(Iv=0.057 295 A=57.29 mA)。
饱和区 过了谷点V之后，继续增加VE，IE～VE曲线的形状接近二极管导通时的正向特性曲线，如曲线“V”点向上段，此时称为饱和区。
当改变VBB电压时，即改变了阈值电压VA，此时曲线的峰点电压也随之改变。
3 结 语
Muhisim 10与LabVIEW相结合，利用子程序做成测试单结晶体管弛张振荡电路中电容器的充放电尖脉冲波形，可以弥补普通示波器测试频带窄而不能显示这些波形的缺陷。这种方法还可以推广到测试并显示任何电路中任意两个量之间的关系，这对分析电路的 伏安特性、传输特性等具有很大的意义。
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