剂量测量核心器件选择的对比

半导体探测器可以分为以下几种

锂漂移型探测器：

探测γ射线需要更大的灵敏区，这种要求必须使得锂漂移进入P型半导体材料进行补偿而获得，由于锗的探测效率优先于硅的，所以的一般用锗（锂）漂移探测器。其探测器的灵敏体积可大于200立方厘米。鉴于死层太厚，因此在探测较低能量的x射线时采用硅（锂）漂移探测器。应该注意的是当漂移型探测器用于探测x射线和γ射线时必须保持在低温 77K 和真空中。

金硅面垒型探测器

将金沉积在半导体N型单晶硅片上，利用金和半导体之间的电势差，在半导体中形成没有自由载流子的耗尽层，形成探测器的灵敏区。高纯硅厚度可以达到4~5mm。还可以用极薄的硅片做成全耗尽型探测器，最薄可以达到1~2微米，可以通过入射粒子穿过后的能量损失鉴别粒子种类。

高纯锗探测器

超纯锗探测器制作工艺简单，制造周期短，可以在室温下储存。便于制成超大灵敏体积，超薄壁死层，可以同时探测X射线和γ射线。除了锗锂Ge（Li），硅锂Si（Li）高纯锗HPGe、金硅面垒型探测器外还有硅微条，象元、CCD。它们广泛应用在核医学、天体物理、高能物理、X光成像等领域。

热释光探测器

原理是物体在受辐射作用后积蓄的能量在加热过程中以光的形势释放出来的一种物理现象。这种现象是一次性的，一次辐射后一次加热会有一次的光释放，热释光探测器就是利用这种原理制作而成。

此类产品体积小、重量轻、精度高、量程范围广、能量响应好。可同时测α、β、γ、X等多射线。主要应用于辐射防护、放射行生物学、放射医学、地质学、考古学、以及环保领域。

探测器优缺点对比

辐射探测器影响因素对比