传梁孟松加盟中芯国际 两岸半导体技术战一触即发

　　但随着“摩尔定律”的不断推进，矛盾的问题也随着出现。当闸极长度缩小到20纳米以下时，源极和汲极之间的距离就会十分靠近，闸极下方的氧化物也会变得非常薄，因为闸极的失效有可能导致产生“漏电”问题，继续下去，闸极有可能完全丧失掉对通道的控制力。

　　也正因此，美国加州大学伯克利分校的胡正明、Tsu-Jae King-Liu和Jeffrey Bokor 三位教授发明了“鳍式场效电晶体(Fin Field Effect Transistor，FinFET)”，把2D结构的 MOS 改为3D结构的FinFET，而其得名也正是因为构造很像鱼鳍(Fin)。

　　这之间最大的变化就是源极和汲极拉高变成立体板状结构，让源极和汲极之间的通道变成板状，闸极与通道之间的接触面积也因此变大，这样做的好处就是即使闸极长度缩小到20纳米以下，仍然留有很大的接触面积，保证闸极对电流的有效控制，降低漏电和动态功率耗损(即FinFET由0变1或由1变0时所消耗的电能)，使整体设备更加省电。

　　所以，从此也可以看出， FinFET 是微电子产品尺寸进一步缩小的关键技术，掌握了这项“利器”就拥有了在半导体战场上的竞争力。而值得一提的是，胡正明教授正是梁孟松的博士论文指导教授，也就是说，梁孟松是掌握该项技术的核心人物之一。梁孟松转战中芯，或许同样会帮助大陆晶圆代工先进制程技术实现突飞猛进。

中芯国际PK台积电

　　显然，中芯国际和台积电之间的战役已拉开大幕。台积电目前在大陆已有位于上海松江厂的 8 寸半导体工厂，2016 年开始在南京建设12寸半导体工厂，预计在 2018 年量产采用 16 纳米 FinFET 工艺。这对中芯国际是最大的威胁，因为中芯国际同样在研发 14 纳米 FinFET 工艺，并希望能在 2018 年投产以与台积电一决高下。

　　图 │台积电LOGO

　　为了取得竞争优势，中芯国际在更早之前就引入了台积电前执行长蒋尚义，蒋尚义曾负责领导台积电的28纳米、20纳米和16纳米FinFET等关键节点的研发。如果成真，中芯国际此次迎来梁孟松加盟无疑是如虎添翼。

　　早在2014年，大陆就成立了集成电路产业基金，用以扶持中国芯片产业发展。在2015年全球芯片销售额呈下滑趋势的时候，中国市场成功继续保持上升势头。目前，大陆的芯片设计领域涌现了华为海思、清华紫光、中兴微电子、瑞芯微电子、君正等企业。

　　因此，有台湾专家认为，台湾半导体超级战将纷纷进军大陆，似乎是为大陆半导体未来的黄金10年做背书，而大陆积极挖角台湾人才，其中暴露的企业人才管理问题也有必要引起台湾方面的重视。

　　2010年，马云曾在 “中国绿色公司年会”的演讲中直言：“台湾没希望了，假如7、80岁的人还在创新，问题就大了”。

　　台湾智知识产权局专利助理审查官、台湾大学机械工程博士黄孝怡就曾撰文指出，这一说法并非没有道理，“是不是这些公司出了什么问题?是否因为这样让很多人才上不去?而没上去的人才只好跳槽，而且一跳就让公司跳脚。”

　　无论台湾如何担忧，大陆半导体产业的迅速崛起无疑已经成为大势所趋。