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单相PWM变换器传导EMI的分析与抑制

作者: 时间:2018-08-27 来源:网络 收藏

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/201808/387810.htm

1.差模干扰

高频差模电流一般是由输出的线线电压突变引起的,这些差模电流流过变换器的输出端。一部分经过DC端电容,一部分将被直流电源吸引。同时差模干扰电流也是一个辐射EMI源。其传播途径能通过安装在变换器dc桥附近的差模滤波器来变化。

变换器输出端电流idc由开关状态来决定。假定当支路为感性时,支路电流方向为正方向,电流大小为i1,则差模电流能通过表1描述的三种状态来决定。其它状态的高频电流与这三种状态是一样的。

表1变换器DC端输出电流

另外,因为主电路的寄生参数影响将产生高频谐振,同时增大差模电流。而且,PWM开关产生的高谐波虽然大部分通过输出滤波器滤出,但仍有部分存在,因此,差模电流也将在输出端形成。

2.共模干扰

共模干扰是因为输入端与接地系统之间电流形成的。在PWM变换器系统中,因为存在快速的开关转换输出电压和输出端各种与地的旁路电容,共模干扰是主要的干扰。IGBT集电极与金属底座寄生电容Cp,它是由图1中的与地之间的虚线引起的。这些电容将导致高频漏电流流入连接散热片的金属底座。这些散热片因为安全原因一般都良好接地的。IGBT一般是通过薄的绝缘材料安放在金属底座上。为了减小温度电阻,绝缘层通常是尽可能的薄,并且集电极与金属底座的旁路电容要偏大一些。

在单相变换器中,共模电压V1和V2是潜在桥臂中点与直流端点之间。寄生电容为

在开关动作时,共模电压对等效寄生电容进行充放电,因而,dv/dt和共模电流会很大,共模电流的路径由图1的虚线表示。由图可以清楚的看到,共模电流回路面积相比差模电流回路面积要大一些。因此对于辐射EMI相当于一个好的天线。

3.电压尖峰

在PWM变换器中,直流电压与电源开关通过母线和需要的输出电压延长线连接。简单的电路如图4所示。例如,图4(a)表示负载电压Vload=Vdc的情况。当开关状态变化时如负载电压为0时,负载电流仅通过图4(c)所示的回路2。当T1关断时,D2完全导通(负载电流因为感性负载而不发生变化)。因为D2处于导通状态,因此在转换时间内,回路1将满足以下表达式

L表示回路1的旁路电感,包括引线电感和IGBT内部电感,VT1表示开关T1 的电压。图4不同时间的电流回路 (a) IT1=Iload,(b) 转换时间,(c) IT1=0,(d) 通过T1的电流因而,由上式可知,当T1关断时,回路1的旁路电感将导致较大电压通过T1。共模电压的电压尖峰将因开关关断而产生,即dv/dt将增大,因而共模电流也将增大。

三、的抑制

对于普通的PWM变换器,通常采用通用电源滤波器。低频部分(从15KHz到1MHz)包括DM和CM。DM和CM部分均可以通过DM和CM滤波器滤出。高频部分(1MHz以上)是共模干扰,要抑制就很困难。包括共模滤波器在内很多方法被使用来削除共模干扰。图5所示是滤波器的结构,包括输入端的DM和CM滤波器。

图5共模和差模干扰滤波器结构

1.DM滤波器的设计

CM滤波器的电感对DM电流一说近似于短路,而且,CM滤波器的漏感对DM的EMI抑制有很大的作用。输入DM滤波器通常用于削弱变换器桥臂直流纹波电流。因为变换器桥臂是谐波源。直流输出电流必须抑制以符合EMC标准。变换桥输出电流包括直流部分和基频与开关频率的谐波部分。直流部分通过差模滤波器不能得到抑制,而谐波部分将得到大大的抑制。图6所示为谐波电流的等效电路。L和C是差模滤波器的等效电感和电容。R是电感L的等效串联电阻(ESR)。Vdc为直流电压,对谐波电流来说是短路的。Ik为变换桥的等效谐波电流源。I1为通过差模滤波器的DM电流。从等效电路可得如下表达式



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