不得不知的高效率、高调光比LED恒流驱动电路设计

　　2.1 带隙基准（Bandgap）

　　图2为采用共源共栅电流镜， 可以改善电源抑制和初始精度的CMOS自偏置基准电路。其中，R1和PH4组成启动电路， 当电源上电时， 若电路出现零电流状态， 此时VA为低， MOS管PH4开启， 并向基准核心电路中注入电流， 使得基准电路摆脱零简并偏置点， 当电路正常工作时， 通过合理的设置P7和P8的宽长比， 使它们都处于深线性区， 由于R2和R3阻值很大， 此时VA的大小接近输入电压， MOS管PH4关断， 启动结束。此外，由于VA的电压接近电源电压， 通过电阻R2和R3的分压后， 电压VB就能表征电源电压， 从而在电源电压低于设定值时， 输出欠压信号， 关断功率管， 起到欠压保护的功能。

　　图2 带隙基准电压源电路图

　　由于基准电路的输入电压最高可达到30V，而普通MOS管漏源和栅耐压为5V。而且为了使电流镜像更加匹配， P1、P2、P5、P7必须使用普通的MOS管。所以， 为了防止管子在高压时被击穿， 需在这些管子的漏源之间加入栅漏短接的厚栅氧MOS管作为保护管， 即PH1、PH2、PH3。

2.2 迟滞比较器（CS_COMP）

　　图3为迟滞比较器等效电路图， 其中VTH_H和VTH_L为BIAS模块提供的偏置基准电压， 而CS为电流采样模块提供的采样电压。电流采样和迟滞比较器模块是组成该芯片的核心模块， 通过这两个模块就可以很好的实现滞环电流控制。

　　图3 迟滞比较器等效电路图

　　电路工作时， 高端电流采样模块采样输出电流， 并按一定比例转化成采样电压CS， 当CS电压大于VTH_H时， P_OFF为高， P_ON为低， M1关M2开启， 此时COMP1_G负端输入VTH_L，并且此时由于P_ON为低， 功率管关断，LED电流开始减小， 采样电压也开始减小。当CS电压小于VTH_L时， P_OFF为低， P_ON为高， M1开启，M2关断， COMP_G负端输入VTH_H， 此时P_ON为高， 功率管开启，LED电流开始增大， 采样电压也开始增大。当CS电压大于VTH_H时， 迟滞比较器模块将重复上一个周期的动作。这样通过迟滞比较器就能产生一定占空比的方波来控制功率开关管关与断， 从而有效控制外部LED的电流大小。

　　此外， 高端电流采样和迟滞比较器模块需要有较高的单位增益带宽GBW， 从而提高电流采样和迟滞比较的速度， 这样就可以减少电路延迟，提高芯片的响应速度， 同时也提高了芯片输出电流精度。

2.3 模拟和PWM调光（DIM）

　　通常希望在不同的应用场合和环境下， LED的发光亮度能够随着应用和环境的变化随时可调， 这就需要LED驱动器具有调光的功能。现在， 最常用的LED调光方式有： 模拟调光、PWM调光、数字调光等方式。

　　模拟调光是通过线性的改变LED驱动器的输出电流来调整LED的发光亮度， 它的优点是能够避免由PWM或数字调光所产生的噪声等问题， 缺点是模拟调光会改变LED的驱动电流， 从而引起LED的色偏。PWM调光方式是通过反复开关LED驱动器， 在PWM信号使能期间输出电流， 其它时间内关闭LED驱动， 通过调节PWM信号的占空比可来实现调光。PWM调光的原理是利用人眼的‘视觉暂留’ 效应， 但为了避免人眼能够看到LED的闪烁， PWM调光的频率应在100 Hz以上。

　　由于不会改变LED平均电流， PWM调光也就不会改变LED的色度。