MEMS设备市场稳步成长 多种MEMS制程崭露头角

MEMS结构层制造流程实例

然而，因为芯片小型化有其限制，故各个研发机构正着手发展新的检测原理（例如，Tronic的MNEMS概念）来降低MEMS的硅芯片尺寸。此技术是基于压阻硅纳米线（piezoresistive nanowires）而不是纯电容式检测（capacitive detection），且着眼于装置效能及芯片尺寸上的技术跃进。此举将奠定新一代动作感测应用的组合式感测器基础，且可让多自由度感测器明显的减少表面积及改善效能。

Yole Developpement在一系列的MEMS技术中列出数种可望在未来几年崭露头角的技术，包括：硅穿孔、室温接合、薄膜PZT、暂时性接合、Cavity SOI、CMOS MEMS。其他的MEMS 技术（如金接合），亦可能广泛运用于缩减芯片尺寸且同时维持晶圆级封装的高度密封性。