绿色电源需求攀升 高性能功率器件看俏

　 　飞兆半导体充分利用其高端工艺和前沿封装技术，不断推出高性能半导体产品，积极应对功率管理挑战，以优化电源、便携式、照明、电机、计算以及消费应用产 品的能效。飞兆推出的超级结MOSFET，采用先进制造工艺降低EPI电阻，解决了HV MOSFET中RDS（ON）的主要影响因素。超级结MOSFET技术能够有效隔离导电区域与电压阻断区域，在导通状态下，重掺杂外延区域可确保导通电阻 足够低；在关断状态下，夹断导电区域，充当电压持续层，可谓是突破硅限制的超级MOSFET。超级结MOSFET优势明显，在较低的输出电容（Eoss） 可获得轻载条件下较高的效率；较高的体二极管耐用性和较小的反向恢复电荷（Qrr）能为谐振转换器提供更可靠的系统。

　　飞兆半导体 MOSFET技术开发工程师Jaegil Lee先生表示，在超级节（Super-junction）结构中，通过增加N-epi掺杂浓度可以实现较低电阻而不牺牲击穿电压，因为在表面p- well下增加了p-pillar。这对于既有的平面MOSFET来说是不可能的，因为掺杂浓度的增加会降低击穿电压。

　　飞兆的超级节产品（SuperFET® MOSFET， SupreMOS® MOSFET）采用控制良好的工艺来制造。因此，在保持稳定的工艺、保持高性能和高品质的同时获得具有较低RDS（ON） 和导通状态电阻的产品。

　　SupreMOS MOSFET是第一个商业应用的超级节产品之一，它使用了基于飞兆先进工艺成功推出的沟道技术。相比竞争产品，SuperFET MOSFET具有高的dv/dt强度。

创新技术--高性能功率晶体管 SiC BJT

　 　为了实现更高的功率密度，满足严格的能效规则和系统正常运行时间要求，工业和电力电子设计人员正在挑战他们自己，以便在他们的设计中降低功率损耗并改进 可靠性。然而，这些在比如可再生能源、工业电机驱动、高密度电源、汽车和高温工业钻探等应用设计中的努力会使他们的设计复杂化并导致整体系统成本更高。为 了帮助设计师满足这些挑战，在创新的高性能功率晶体管技术方面，随着可理想适用于功率转换系统的碳化硅（silicon carbide，SiC）技术解决方案的推出，飞兆半导体扩大了它的领导地位。

　　通过在它的产品组合中推出基于SiC的产品，飞兆在创新 的、高性能功率晶体管技术方面加强了它的产品领导力。在飞兆的SiC产品组合中，第一个推出的产品系列是先进的SiC双极结型晶体管（bipolar junction transistors，BJT），可提供高效、大电流密度、稳健性、和高温工作的能力。通过采用格外有效的晶体管，飞兆的SiC BJT实现了更高的开关频率，因为其具有更低的导通和开关损耗（范围从30 - 50%），在相同的系统外形尺寸下提供了多达40%的更高输出功率。

　　这些稳健的BJT使用了更小的电感、电容和散热器，能够降低总体系统成本达20%。由于具备更高效率和卓越的短路能力和反向偏压安全工作区域，在优化大功率变换应用的电源管理中，这些行业领先的SiC BJT将起到至关重要的作用。