基于LM3478的50W DCDC升降压变换器设计方案

　　由公式：L=ALN2，可以计算出电感圈数为：

　　48圈，且用AWG18号线绕制。L3、L4相同参数。

　　Magnetic公司的Kool Mu材料，损耗少，相对成本低，也可以选同规格其他厂商铁硅铝材料。如果想进一步降低成本也可以选用国产的铁硅铝材料。

　　上述L3、L4为两个分离电感设计，也可以共用一个储能磁环，只是此时由于耦合电感的存在，计算的电感值为上述值的一半，为50μH。但成本低些。

　　PCB注意事项

　　由于为高频DC-DC变换,因此，PCB布线很重要。区分功率地与信号地的汇流点，驱动IC与MOSFET的关系，输入滤波与输出滤波的位置等。同时注意分离元件及贴片元件的位置关系。还要考虑散热器的形状及散热面积。

　　关键元器件的选择及说明

　　功率MOSFET的选择：N-FET，极低导通电阻，低门极驱动电压：5V—7V，符合PWM-IC要求，TO-220AB封装，100V/85A，结温175℃。型号为VISHAY：SUP85N10-10。

　　肖特基整流二极管的选择：型号为MBR20100CT，封装为TO-220AB，100V/20A，正向压降低。

　　输入、输出滤波电解电容可由计算公式或经验选取。C8、C9可由计算公式或实验选择。取样电阻的参数可由计算及实验来确定。

　　样机调试中发现的问题及解决方法

　　按照上述原理及计算参数进行PCB的焊接及调试。发现问题如下：

　　由LM3478芯片的特点及典型的EPIC应用来看，比较适合功率等级20W以下的DC-DC变换器。而此处设计成50WDC-DC变换器，发现PWM驱动MOSFET有些困难，波形畸变及MOSFET功耗大，解决的方法为：在IC的6脚与MOSFET的栅极之间加入一级驱动放大，即由NPN和PNP对管组成的放大级。

　　L3、L4均取100μH的电感量在工作时发现：在输出轻载或空载时，输出纹波过大。经试验发现由电感L3引起的，根据经验及分析将L3的电感量降为50mH即可解决问题。

　　IC的2引脚COMP对地的补偿参数C3、C4、R2：若按典型参数试验，发现样机有噪声且不稳定，经试验将C2去掉，结果没有噪声且工作稳定。

　　取样电阻R7：由于IC的特点使取样电阻的阀值很低，而且该DC-DC的功率相对较大，致使取样电阻R7的选取比较困难，为了降低成本选用微阻抗电阻。

　　结语

　　通过对该DC-DC变换器的拓扑结构及驱动IC的选择，设计出了满足技术要求的50W适配器，虽然调试过程中遇到了一些问题，经过试验分析得到了解决。从实际应用来看，用此原理