AVR单片机三种存储器使用问题

作者：时间：2013-12-10 来源：网络收藏

(2). FLASH 区数组应用：
定义：
const prog_uchar flash_array[] = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9}; //定义
另外一种形式
const unsigned char flash_array[] RROGMEM = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9};
读取示例：
unsigend char I, ram_val;
for(I=0 ; I10 ;I ++) // 循环读取每一字节
{
ram_val = pgm_read_byte(flash_array + I);
… … //处理
}
(3)．FLASH 区字符串常量的应用
全局定义形式：
const char flash_str[] PROGMEM = “Hello, world!”;
函数内定义形式：
const char *flash_str = PSTR(“Hello, world!”);
以下为一个FLASH 字符串应用示例
#include avr/io.h>
#include avr/pgmspace.h>
#include stdio.h>
const char flash_str1[] PROGMEM = “全局定义字符串”;
int main(void)
int I;
char *flash_str2=PSTR(“函数内定义字符串”);
while(1)
{
scanf(“%d”,I);
printf_P(flash_str1);
printf(“”);
printf_P(flash_str2);
printf(“”);
}
}
4. EEPROM 数据存储器操作
#include avr/eeprom.h>
头文件声明了avr-libc 提供的操作EEPROM存储器的API 函数。
这些函数有：
eeprom_is_ready() //EEPROM 忙检测（返回EEWE 位）
eeprom_busy_wait() //查询等待EEPROM 准备就绪
uint8_t eeprom_read_byte (const uint8_t *addr) //从指定地址读一字节
uint16_t eeprom_read_word (const uint16_t *addr) //从指定地址一字
void eeprom_read_block (void *buf, const void *addr, size_t n) //读块
void eeprom_write_byte (uint8_t *addr, uint8_t val) //写一字节至指定地址
void eeprom_write_word (uint16_t *addr, uint16_t val) //写一字到指定地址
void eeprom_write_block (const void *buf, void *addr, size_t n)//写块
在程序中对EEPROM 操作有两种方式
方式一：直接指定EERPOM 地址
示例：

#include avr/io.h>
#include avr/eeprom.h>
int main(void)
{
unsigned char val;
eeprom_busy_wait(); //等待EEPROM 读写就绪
eeprom_write_byte(0,0xaa); //将0xaa 写入到EEPORM 0 地址处
eeprom_busy_wait();
val=eeprom_read_byte(0); //从EEPROM 0 地址处读取一字节赋给RAM变量val
while(1);
}
方式二：先定义EEPROM 区变量法
示例：
#include avr/io.h>
#include avr/eeprom.h>
unsigned char val1 __attribute__((section(".eeprom")));//EEPROM 变量定义方式
int main(void)
{
unsigned char val2;
eeprom_busy_wait();
eeprom_write_byte (val1, 0xAA);
eeprom_busy_wait();
val2 = eeprom_read_byte(val1);
while(1);
}
在这种方式下变量在EEPROM存储器内的具体地址由编译器自动分配。相对方式一，数据在EEPROM 中的具体位置是不透明的。为EEPROM 变量赋的初始值，编译时被分配到.eeprom 段中,可用avr-objcopy 工具从.elf 文件中提取并产生ihex 或binary 等格式的文件。