存储测试系统USB接口的设计与实现

从SRAM读取存储数据时，单片机首先置片选信号CE和读控制信号OE为低电平，测试系统的时序控制电路在OE信号的作用下推动SRAM的地址，SRAM则将对应地址的数据放在总线上。单片机读取数据总线后，判断FT245R的写允许信号TXE是否为低电平，若为低电平则进入向FT245R发送数据子程序，若为高电平说明FT245R忙，不能写数据，单片机继续判断TXE信号，直到变低为止。发送数据时，单片机首先置FT245R的写控制信号WR为高电平，然后将读取的PORTD端口的数据发送至PORTB端口，接着将WR变回低电平。之后，继续判断TXE的状态，变低后发送从PORTC端口读取的数据，完成12 b数据自测试系统读取并经FT245R发送的过程，流程如图4所示。在编程时，根据测试系统SRAM的存储容量，重复上述操作即可实现测试数据经USB接口发送至计算机。


3．2 计算机编程

计算机端程序采用VB 6．0编写，通过调用FTDI提供的动态链接库，进行读、写函数等的调用与操作。在VB程序中，首先需要在模块里声明动态链接库“FTD2XX．DLL”。然后，在主程序里需要先对FT245R进行初始化，包括打开设备、复位设备、清理缓冲区、设定等待时间等步骤，初始化流程如图5所示。其他工作参数如波特率、奇偶校验、溢出控制等使用默认设置即可。

对FT245R初始化完成后，就可以进行数据发送和接收。发送数据时，将数据赋值到发送数组，调用发送函数FT_Write，然后判断函数返回值是否等于1。若为1说明数据发送成功，否则需要重新发送。接收数据时，首先需要设定接收超时时间。然后调用FT_Getstatus函数读取接收缓冲区的状态，判断接收队列中是否有数以及是否满足设定的读取字节数阈值。若满足渎取条件，则调用读数函数FT_Read，读取当前缓冲区的数据并存入数组，否则就一直等待，直到满足读取条件或产生接收超时。若产生超时，程序自动跳出接收程序，避免陷入死循环。接收流程如图6所示。


4 结论

设计的USB接口数据传输率达到1 MB／s，满足存储测试系统数据读取速率的要求。
该接口符合USB 2．0协议，在计算机上安装驱动即可，使用简单方便。
该接口具有体积小、运行可靠等特点，非常适合嵌入到存储测试系统中，也可将接口与外部数据线做成一体，进一步减小测试系统体积。