延长Flash存储器使用寿命的研究

　　在NANDFlash使用过程中可能会出现这样的问题：产生坏块或坏页、由此引发的数据丢失、对一些扇区或块的过分磨损导致NANDFlash寿命缩短等。为了能更好地使用NANDFlash，在其损坏时使损失最小化，需要一种方法，使用相同的地址可以屏蔽掉坏了的块，而指针指向好块。即使第一块坏了，还可以使用O地址去操作一个好块。

　　3 Flash存储器的读取方法

　　K9F11208UOM型Flash芯片内部与外部引脚关系如图2所示。对于每一个块的访问，都需要一个固定的物理地址，基于这个固定的物理地址来操作Flash存储器，在对块进行操作的时候，一个块地址对应一个块，如果这个块坏了，那么这个地址的存在就没有意义了。就像ARM芯片在引导的时候，需要复制Flash的前4 KB的数据，这样需要固定块的数据。如果这个块坏了，系统将无法引导。

　　下面通过地址重映射的方法，即在Flash固件里面加入一个地址重映射的区域来解决这一问题。

　　4 基于地址重映射的读取方法

　　在实现地址重映射的时候，可以从块逻辑地址O开始，查看相对应的物理块。如果损坏，将地址从最后一个开始向前指，而相应的逻辑块被标示为坏块。例如图3，物理块0损坏，逻辑块地址0指向物理块4095的地址，而逻辑块地址4095被标示为坏块。可以看出，即使块0掼坏，仍然可以通过逻辑地址O进行操作，其内部的变化，并不会影响外部的使用。唯一不同的是，Flash的整体空间变小了。不过即使这样，也不会像以前那样，第一块坏了，就去换一个Flash。

　　5 性能分析

　　很明显，在数据读取的时候增加了一步地址重映射的计算。这样使整体性能会略微下降。下面分析一下加入地址重映射之后的性能影响(这里仅仅分析数据的读取性能，因为对Flash操作最多的是数据的读取，用户使用时也是读取最多)。