SL11R单片机外部存储器扩展

2.3 动态存储器的扩展

SL11R扩展动态存储器非常简单。因为它已经内置了动态存储器控制电路，与EDO DRAM直接连接就可以，不需要另加电路，而且自动刷新，用户使用动态存储器负使用SRAM一样方便。SL11R扩展DRAM的电路见图4。

扩展DRAM时要选择3.3V的EDO DRAM，尽量使用1M×16位的内存芯片如GM71V18163CJ、IS41LV16100、HY51V18164等，这样电路设计较简单。笔者在使用过程中发现，某些DRAM与SL11R存在兼容性问题，有时工作不稳定，但换另一批次的芯片后又正常工作，所以设计者在使用时应注意筛选。

SL11R对DRAM的寻址空间为0x8000～0x9FFF和0xA000～0xBFFFF。这个地址值控制寻址的低位地址（A0～A12），另外有2个对应的页面寄存器控制寻址的高位地址，每个页面都能完成对1M×16位空间的寻址。这两个16位的页面寄存器是0xC018和0xC01A，以页面1寄存器0xC018具体说明如下：

如果A21=1，则对0x8000～0x9FFF空间的读写操作是针对DRAM，由DRAMOE和DRAMWT引脚选通DRAM，参见图4。

如果A21=0，则对0x8000～0x9FFF空间的读写操作是针其它外设，由nXMEMSEL引脚选通。这种方式使SL11R另外增加了1M×16位的寻址空间，但这个空间DMA方式不能直接寻址。

A13～A20则是页面1的高位地址，加上08000～0x9FFF的低位（A0～A12）实现页面1的寻址。

页面2的寻址与页面1的寻址完全一样，只是由0xC01A和对0xA000～0xBFFF的寻址实现。

页面1和页面2的寻址空间是重叠的，一般可以使用一个页面对DRAM寻址，另一个页面对其它外设寻址。

3 存储器速度的影响

SL11R的工作频率较高，必须要考虑存储器的速度，否则可能工作不正常。

3.1 静态存储器速度

读取外部静态存储器的时序见图5，具体参数见表2。表2中的参数是SL11R的内部工作时钟PCLK工作36MHz，等待周期设定为0时的数据。